bis(trimethylsilylmethoxy)galliumchloride | 72708-38-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 金属烷基卤化物
• 英文名称: bis(trimethylsilylmethoxy)galliumchloride
• 英文别名: [(Chlorogallanediyl)bis(methylene)]bis(trimethylsilane)；[chloro(trimethylsilylmethyl)gallanyl]methyl-trimethylsilane
• CAS: 72708-38-4
• 化学式: C₈H₂₂ClGaSi₂
• 分子量: 279.61
• InChiKey: GIZFHKJCUULCGD-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.97
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 bis(trimethylsilylmethoxy)galliumchloride 以 正戊烷 为溶剂， 以80-95的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Fischer, Roland A.; Behm, Joachim, Chemische Berichte, 1992, vol. 125, # 1, p. 37 - 42

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三甲基氯硅烷 、 bis(trimethylsilylmethoxy)-tetrakis(trimethylsilylmethyl)digallane 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以100%的产率得到bis(trimethylsilylmethoxy)galliumchloride
  参考文献：
  名称：

  Zur Chemie des Galliums. 10. N-Trimethylsilyl-substituierte Aminogallane

  摘要：

  AbstractDie Darstellung der monomeren Mono(amino)gallane 9, 10 gelingt durch Umsetzung von Dialkylgalliumchloriden R2GaCl (R = Me, Et) mit den Lithiumamiden LiN(SiMe3)R′ [R′ = tBu, 2,6‐iPr2C6H3 ( = dipp)]. Aus Gallium(III)chlorid und LiN(SiMe3)dipp entsteht das Bis(amino)galliumchlorid dipp(SiMe3)NGa(Cl)Ndipp(SiMe2)N(SiMe3)dipp 12. Die Oxidation von 9 ergibt das Aminoethoxygallan [dipp(SiMe3)NGa(Et)μ‐OEt]2 13, dessen Struktur mit der des Alkoxygallans 14 verglichen wird.

  DOI：

  10.1002/zaac.19976230183

文献信息

• Synthesis and characterization of gallium-arsenic compounds containing a four-membered l or s ring: crystal structures of (Me3SiCH2)2l and [(Me3SiCH2)2GaAs(SiMe3)2]2
  作者：Richard L. Wells、James W. Pasterczyk、Andrew T. McPhail、James D. Johansen、Abbas Alvanipour

  DOI：10.1016/0022-328x(91)83136-r

  日期：1991.4

  The third example of an organogallium four-membered ring compound with arsenic, halogen mixed bridging, (Me3SiCH2)2l (1), was prepared by the reaction of (Me3Si)3As (2) with two equivalents of (Me3SiCH2)2GaCl. X-ray crystallographic analysis showed that the compound contains a nonplanar l ring. The crystals belong to the monoclinic system space group P21/c (C25h) with four molecules per unit cell of

  通过（Me 3 Si）3 As（2）与两当量的（Me 3 Si）反应，制得具有砷，卤素混合桥联的有机镓四元环化合物的第三个实例（Me 3 SiCH 2）2 l（1）。 （Me 3 SiCH 2）2 GaCl。X射线晶体学分析表明该化合物含有非平面的l环。晶体属于单斜晶系空间群P 2 1 / c（C 2 5 h），每单位晶胞尺寸为a四个分子12.476（2），b 15.832（2），Ç 22.279（3），β108.87（1）°，V 4164（2）埃3。通过LiAs（SiMe 3）2和（Me 3 SiCH 2）2 GaCl的反应制备二聚体[（Me 3 SiCH 2）2 GaAs（SiMe 3）2 ] 2（3）。通过单晶X射线分析确定其固态二聚体结构。3的晶体属于正交晶系空间群Pbcn（D 14 2 h），在尺寸的单元电池4个二聚体一个12.886（1），b 21.172（2），Ç 18.610（2）埃，V
• Synthesis and Structural Characterization of Alkylgallium−Phosphorus Compounds. X-ray Crystal Structures of (Me₃CCH₂)₂(Cl)Ga·P(SiMe₃)₃, R₂GaP(SiMe₃)₂GaR₂Cl (R = Me₃CCH₂, Me₃SiCH₂), and [(R)(X)GaP(SiMe₃)₂]₂ (R = Me₃CCH₂, X = Cl; R = Me₃CCH₂, X = Me₃CCH₂; R = Me₃SiCH₂, X = Br)
  作者：Richard L. Wells、Ryan A. Baldwin、Peter S. White、William T. Pennington、Arnold L. Rheingold、Glenn P. A. Yap

  DOI：10.1021/om9507641

  日期：1996.1.9

  Reaction of (Me3CCH2)2GaCl with (Me3Si)3P in a 1:1 mole ratio does not result in any intermolecular dehalosilylation but affords the adduct (Me3CCH2)2(Cl)Ga·P(SiMe3)3 (1) in nearly quantitative yield. Mixing (Me3CCH2)2GaCl and (Me3Si)3P in a 2:1 mole ratio yields as the only isolable product the dimeric compound [(Me3CCH2)(Cl)GaP(SiMe3)2]2 (2), which contains three different substituents on the gallium

  （Me 3 CCH 2）2 GaCl与（Me 3 Si）3 P摩尔比为1：1的反应不会导致分子间脱卤代硅烷化反应，但会提供加合物（Me 3 CCH 2）2（Cl）Ga·P（ SiMe 3）3（1）的定量收率。以2：1摩尔比混合（Me 3 CCH 2）2 GaCl和（Me 3 Si）3 P得到唯一的可分离产物二聚化合物[（Me 3 CCH 2）（Cl）GaP（SiMe 3）2] 2（2），其在镓中心上包含三个不同的取代基。在（Me 3 SiCH 2）2 GaBr和（Me 3 Si）3 P的2：1反应中也观察到这种类型的产物，其中[（Me 3 SiCH 2）（Br）GaP（SiMe 3）2 ] 2得到（3）。（Me 3 CCH 2）2 GaCl和LiP（SiMe 3）2之间的盐消除反应导致二聚体[（Me 3 CCH 2）2 GaP（SiMe 3）2 ] 2（4）的产率很高。化合物4与2摩尔当量的（Me
• Beachley Jr.; Banks, Michael A.; Churchill, Melvyn Rowen, Organometallics, 1991, vol. 10, # 9, p. 3036 - 3040
  作者：Beachley Jr.、Banks, Michael A.、Churchill, Melvyn Rowen、Feighery, William G.、Fettinger, James C.

  DOI：——

  日期：——
• BEACHLEY, O. T. (JR);PAZIK, J. C., ORGANOMETALLICS, 7,(1988) N 7, C. 1516-1519
  作者：BEACHLEY, O. T. (JR)、PAZIK, J. C.

  DOI：——

  日期：——