5-allyl-2,2,5-trimethyl-1,3-dioxane-4,6-dione | 119558-81-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 5-allyl-2,2,5-trimethyl-1,3-dioxane-4,6-dione
• 英文别名: 2,2,5-Trimethyl-5-prop-2-enyl-1,3-dioxane-4,6-dione
• CAS: 119558-81-5
• 化学式: C₁₀H₁₄O₄
• 分子量: 198.219
• InChiKey: PEUNYTMMLGQPQT-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  351.2±35.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.056±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  52.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-allyl-2,2,5-trimethyl-1,3-dioxane-4,6-dione 在 盐酸 、 四甲基乙二胺 、 lithium diisopropyl amide 作用下， 生成 3-乙基-4-甲基呋喃-2,5-二酮
  参考文献：
  名称：

  1,2-羰基沿烯丙基框架的迁移：烯基萘醌的合成

  摘要：

  代替经历环戊烯酮环的，所述烯丙基丙二阴离子从二羧酸衍生的（7）重排为vinylsuccinate（5），一个应用程序，它的已导致vinylnaphthoquinones的一个方便的合成（10）。

  DOI：

  10.1039/c39880001382
• 作为产物：
  描述：

  甲基丙二酸亚异丙酯 、 乙烯基乙酸 在 lead(IV) acetate 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 3.0h， 以59%的产率得到5-allyl-2,2,5-trimethyl-1,3-dioxane-4,6-dione
  参考文献：
  名称：

  Novel alkylation, lactonisation and cascade coupling processes mediated by lead tetracarboxylates: the importance of ligands

  摘要：

  The reactions of lead(IV) tetracarboxylates with carboxylic acids containing unsaturated side chains is reported. At elevated temperature in toluene, facile decarboxylation or lactonisation processes are observed, depending on the length of the carboxylate side chain and in some cases further cascade coupling processes with added nucleophiles are possible. The efficiency of these processes depends on the structure of the carboxylate ligand and the mechanistic implications of these results are briefly discussed. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(01)02288-2

文献信息

• Allylation of Meldrum’s Acids by Allylic Alcohols Using Tetrakis[triphenylphosphine]palladium(0) Catalysts
  作者：Ling-Ching Chen、Rei-Sheu Hou、Huey-Min Wang、Hsin-Yu Huang

  DOI：10.3987/com-05-10437

  日期：——

  Meldrum's acids can be allylated by allylic alcohols using tetrakis[triphenylphosphine]palladium(0) [(PPh 3 ) 4 Pd] as a catalyst in benzene at 80°C without prior activation of allylic hydroxy group.

  使用四[三苯基膦]钯 (0) [(PPh 3 ) 4 Pd] 作为催化剂，在苯中，在 80°C 下，无需预先活化烯丙基羟基，可以将 Meldrum 的酸通过烯丙基醇进行烯丙基化。
• LOW OUTGASSING PHOTORESIST COMPOSITIONS
  申请人：DiPietro Richard A.

  公开号：US20100062368A1

  公开（公告）日：2010-03-11

  Polymers for use in photoresist compositions include a repeat unit having a formula of: wherein Z represents a repeat unit of a polymer backbone; X is a linking group selected from the group consisting of alkylene, arylene, araalkylene, carbonyl, carboxyl, carboxyalkylene, oxy, oxyalkylene, and combinations thereof, and R is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, aryl, and cycloalkyl groups with the proviso that X and R are not part of the same ring system. Also disclosed are processes for patterning a relief image of the photoresist composition, wherein the photoresist composition has an outgassing rate of less than 6.5E+14 molecules/cm 2 /s.

  用于光阻组合物的聚合物包括具有以下公式的重复单元：其中Z表示聚合物骨架的重复单元；X是从烷基，芳基，芳基烷基，羰基，羧基，羧基烷基，氧，氧烷基和它们的组合中选择的连接基团，而R是从氢，烷基，芳基和环烷基群中选择的，但X和R不是同一环系统的一部分。还公开了用于形成光阻组合物的浮雕图像的工艺，其中光阻组合物的放气速率小于6.5E + 14分子/厘米2/秒。
• COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM HAVING CYCLIC DIESTER GROUP
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20150322212A1

  公开（公告）日：2015-11-12

  A resist underlayer film that can be used as a hardmask. A resist underlayer film forming composition for lithography, includes: as a silane, a hydrolyzable silane, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof, wherein the hydrolyzable silane includes a hydrolyzable silane of Formula (1) or a hydrolyzable silane containing a combination of a hydrolyzable silane of Formula (1) with a hydrolyzable silane of Formula (2) in a content of less than 50% by mole in all silanes; Formula (1): R 1 a R 2 b Si(R 3 ) 4-(a+b) wherein R 1 is an organic group containing Formula (1-1), Formula (1-2), or Formula (1-3): a is 1 and b is an integer of 0 to 2, where a+b is an integer of 1 to 3; Formula (2): R 4 a R 5 b Si(R 6 ) 4-(a+b) wherein, R 4 is an organic group containing Formula (2-1), Formula (2-2), or Formula (2-3): a is 1 and b is an integer of 0 to 2, where a+b is an integer of 1 to 3.

  一种可用作硬掩膜的抗蚀底层膜。一种用于光刻的抗蚀底层膜形成组合物，包括：作为硅烷的，一种可水解的硅烷，其水解产物或其水解-缩合产物，其中可水解的硅烷包括公式（1）的可水解硅烷或含有公式（1）的可水解硅烷与公式（2）的可水解硅烷的组合物，其在所有硅烷中的摩尔分数小于50％；公式（1）：R1aR2bSi（R3）4-（a+b），其中R1是含有公式（1-1），公式（1-2）或公式（1-3）的有机基团：a为1，b为0到2的整数，其中a+b为1到3的整数；公式（2）：R4aR5bSi（R6）4-（a+b），其中R4是含有公式（2-1），公式（2-2）或公式（2-3）的有机基团：a为1，b为0到2的整数，其中a+b为1到3的整数。
• MAHIDOL, CHULABHORN;PINYOPRONPANIT, YONGYUT;RADVIROONGIT, SCHULEEWAN;THEB+, J. CHEM. SOC. CHEM. COMMUN.,(1988) N0, C. 1382-1383
  作者：MAHIDOL, CHULABHORN、PINYOPRONPANIT, YONGYUT、RADVIROONGIT, SCHULEEWAN、THEB+

  DOI：——

  日期：——
• US7951525B2
  申请人：——

  公开号：US7951525B2

  公开（公告）日：2011-05-31