Effect of Cyano Substitution on Non‐Fullerene Acceptor for Near‐Infrared Organic Photodetectors above 1000 nm
作者:Jong‐Woon Ha、Hyeong Ju Eun、Byoungwook Park、Hyungju Ahn、Dong Ryeol Hwang、Yeong Seok Shim、Junseok Heo、Changjin Lee、Sung Cheol Yoon、Jong H. Kim、Seo‐Jin Ko
DOI:10.1002/adfm.202211486
日期:2023.2
correlation between dark current density and charge injection barrier is investigated. Compared with their motivated NFA (COTH), the novel CN-substituted NFAs, COTCN and COTCN2, exhibited deeper-lying highest occupied molecular orbital energy levels and narrower optical bandgap (<1.10 eV), owing to the strong inductive and resonance effect of CN. The dark current and total noise currents are minimized as
包含超窄带隙非富勒烯受体(NFA,超过 1000 nm)的近红外有机光电探测器 (NIR OPD) 通常在施加的反向偏压下表现出高暗电流密度。因此,抑制暗电流密度对于实现此类 NIR OPD 的高性能至关重要。在此,将具有强吸电子性能的氰基 (CN) 作为 π 桥引入烷氧基噻吩中以调节其光电特性,并研究了暗电流密度与电荷注入势垒之间的相关性。与其激发的 NFA (COTH) 相比,新型 CN 取代的 NFA,COTCN 和 COTCN2,由于 CN 的强感应和共振效应,表现出更深的最高占据分子轨道能级和更窄的光学带隙 (<1.10 eV) . 由于更大的空穴注入势垒,随着取代的 CN 数量的增加,暗电流和总噪声电流被最小化。因此,PTB7-Th:COTCN2 表现出最好的散粒噪声有限检测率(D * sh , 1.18 × 10 12 Jones) 和总噪声检测率 ( D * n , 1.33