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4-(2-ethylhexyloxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile | 1276689-06-5

中文名称
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中文别名
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英文名称
4-(2-ethylhexyloxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile
英文别名
4-(2-Ethylhexoxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile;4-(2-ethylhexoxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile
4-(2-ethylhexyloxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile化学式
CAS
1276689-06-5
化学式
C13H21NOS
mdl
——
分子量
239.382
InChiKey
PLUTWIXHSJDLCS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    404.9±45.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.03±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.4
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.77
  • 拓扑面积:
    58.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    氰基取代对 1000 nm 以上近红外有机光电探测器非富勒烯受体的影响
    摘要:
    包含超窄带隙非富勒烯受体(NFA,超过 1000 nm)的近红外有机光电探测器 (NIR OPD) 通常在施加的反向偏压下表现出高暗电流密度。因此,抑制暗电流密度对于实现此类 NIR OPD 的高性能至关重要。在此,将具有强吸电子性能的氰基 (CN) 作为 π 桥引入烷氧基噻吩中以调节其光电特性,并研究了暗电流密度与电荷注入势垒之间的相关性。与其激发的 NFA (COTH) 相比,新型 CN 取代的 NFA,COTCN 和 COTCN2,由于 CN 的强感应和共振效应,表现出更深的最高占据分子轨道能级和更窄的光学带隙 (<1.10 eV) . 由于更大的空穴注入势垒,随着取代的 CN 数量的增加,暗电流和总噪声电流被最小化。因此,PTB7-Th:COTCN2 表现出最好的散粒噪声有限检测率(D * sh , 1.18 × 10 12 Jones) 和总噪声检测率 ( D * n , 1.33
    DOI:
    10.1002/adfm.202211486
  • 作为产物:
    描述:
    4-氰基-3-四氢噻吩酮2-ethylhexyl methanesulfonatecaesium carbonate 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 0.03h, 以71%的产率得到4-(2-ethylhexyloxy)-2,5-dihydrothiophene-3-carbonitrile
    参考文献:
    名称:
    Facile Synthesis of 3-Alkoxy-4-cyanothiophenes As New Building Blocks for Donor−Acceptor Conjugated Systems
    摘要:
    3-Alkoxy-4-cyanothiophenes are efficiently synthesized in two steps from the readily available 4-cyano-3-oxotetrahydrothiophene. Regioisomers of bithiophene derivatives are easily synthesized by playing on the strong electronic dissymmetry of the thiophene ring induced by the alkoxy and cyano groups.
    DOI:
    10.1021/ol200296j
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文献信息

  • [EN] A WEAK ELECTRON-DONATING BUILDING BLOCK, COPOLYMERS THEREOF AND THEIR PREPARATION METHODS AS WELL AS THEIR APPLICATIONS<br/>[FR] ÉLÉMENT STRUCTURAL FAIBLE DONNEUR D'ÉLECTRONS, COPOLYMÈRES DE CEUX-CI ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATION ET APPLICATIONS
    申请人:UNIV SOUTH SCIENCE & TECHNOLOGY CHINA
    公开号:WO2018076247A1
    公开(公告)日:2018-05-03
    A weak electron-donating building block, copolymers thereof and their preparation methods as well as their applications. The weak electron-donating building block provided by the present invention is of Formula I. In the present invention, incorporating strong electron-withdrawing substituents into the electron-rich 3, 3' -dialkyoxy-2, 2' -bithiophene leads to new monomers with weaker electron donating abilities and hence lower-lying HOMOs.
  • Facile Synthesis of 3-Alkoxy-4-cyanothiophenes As New Building Blocks for Donor−Acceptor Conjugated Systems
    作者:Noémie Hergué、Charlotte Mallet、Gurunathan Savitha、Magali Allain、Pierre Frère、Jean Roncali
    DOI:10.1021/ol200296j
    日期:2011.4.1
    3-Alkoxy-4-cyanothiophenes are efficiently synthesized in two steps from the readily available 4-cyano-3-oxotetrahydrothiophene. Regioisomers of bithiophene derivatives are easily synthesized by playing on the strong electronic dissymmetry of the thiophene ring induced by the alkoxy and cyano groups.
  • Effect of Cyano Substitution on Non‐Fullerene Acceptor for Near‐Infrared Organic Photodetectors above 1000 nm
    作者:Jong‐Woon Ha、Hyeong Ju Eun、Byoungwook Park、Hyungju Ahn、Dong Ryeol Hwang、Yeong Seok Shim、Junseok Heo、Changjin Lee、Sung Cheol Yoon、Jong H. Kim、Seo‐Jin Ko
    DOI:10.1002/adfm.202211486
    日期:2023.2
    correlation between dark current density and charge injection barrier is investigated. Compared with their motivated NFA (COTH), the novel CN-substituted NFAs, COTCN and COTCN2, exhibited deeper-lying highest occupied molecular orbital energy levels and narrower optical bandgap (<1.10 eV), owing to the strong inductive and resonance effect of CN. The dark current and total noise currents are minimized as
    包含超窄带隙非富勒烯受体(NFA,超过 1000 nm)的近红外有机光电探测器 (NIR OPD) 通常在施加的反向偏压下表现出高暗电流密度。因此,抑制暗电流密度对于实现此类 NIR OPD 的高性能至关重要。在此,将具有强吸电子性能的氰基 (CN) 作为 π 桥引入烷氧基噻吩中以调节其光电特性,并研究了暗电流密度与电荷注入势垒之间的相关性。与其激发的 NFA (COTH) 相比,新型 CN 取代的 NFA,COTCN 和 COTCN2,由于 CN 的强感应和共振效应,表现出更深的最高占据分子轨道能级和更窄的光学带隙 (<1.10 eV) . 由于更大的空穴注入势垒,随着取代的 CN 数量的增加,暗电流和总噪声电流被最小化。因此,PTB7-Th:COTCN2 表现出最好的散粒噪声有限检测率(D * sh , 1.18 × 10 12 Jones) 和总噪声检测率 ( D * n , 1.33
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