本发明提供了四
氯代二
噻吩乙烯、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用;四
氯代二
噻吩乙烯的合成步骤较少,成本较低,并且具有高直接芳基化反应活性,通过直接芳基化聚合制备共轭聚合物半导体材料。含四
氯代二
噻吩乙烯的共轭聚合物可用于制备有机薄膜晶体管器件,该聚合物有利于电荷的传输,从而获得可以满足工业应用要求的迁移率性能。有机薄膜晶体管器件均表现出双极传输或n型传输性能。双极传输性能有机薄膜晶体管器件的电子和空穴迁移率最高值超过1.7cm2/V·s和0.8cm2/V·s,n型传输性能的有机薄膜晶体管电子迁移率最高值超过1.2cm2/V·s。