3-methoxy-3-methyl-1,4-pentadiene | 97147-16-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 3-methoxy-3-methyl-1,4-pentadiene
• 英文别名: 3-Methoxy-3-methyl-1,4-pentadien；Dimethyldivinylcarbinol；3-methoxy-3-methylpenta-1,4-diene
• CAS: 97147-16-5
• 化学式: C₇H₁₂O
• 分子量: 112.172
• InChiKey: USTXIVPLCUNEHM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  112.8±9.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.797±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.8
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  一氧化碳 、 3-methoxy-3-methyl-1,4-pentadiene 在 chloro(1,5-cyclooctadiene)rhodium(I) dimer 三乙胺 作用下， 以 甲醇 、 水 为溶剂， 120.0 ℃ 、4.0 MPa 条件下， 反应 15.0h， 以29%的产率得到2-(methoxymethyl)-3-methyl-2-cyclopenten-1-one
  参考文献：
  名称：

  Eilbracht, Peter; Huettmann, Gerd-Erich; Deussen, Rainer, Chemische Berichte, 1990, vol. 123, # 5, p. 1063 - 1070

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  3-Methoxy-3-methyl-1-penten-4-in 在 Lindlar's catalyst 氢气 作用下， 以 正戊烷 为溶剂， 生成 3-methoxy-3-methyl-1,4-pentadiene
  参考文献：
  名称：

  Eilbracht, Peter; Huettmann, Gerd-Erich; Deussen, Rainer, Chemische Berichte, 1990, vol. 123, # 5, p. 1063 - 1070

  摘要：

  DOI：

文献信息

• COMPOUND, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, AND PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20160024005A1

  公开（公告）日：2016-01-28

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound represented by the following formula (1) or (2), and the formula (1) and (2) are defined as herein, and a resist film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method comprising a step of exposing the resist film, and a step of developing the exposed film, and a method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method, and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.

  提供了一种包含下列式子（1）或（2）所代表的化合物的光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，其中式（1）和（2）的定义如本文所述，以及包括该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物的光阻膜，以及包括曝光光阻膜的步骤和显影曝光膜的步骤的图案形成方法，以及包括图案形成方法的制造电子装置的方法，以及由电子装置的制造方法制造的电子装置。
• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20150185612A1

  公开（公告）日：2015-07-02

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising: (A) a resin having a repeating unit represented by the specific formula and a group capable of decomposing by an action of an acid to produce a polar group; and an ionic compound represented by the specific formula, and a resist film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

  提供一种光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，包括：（A）具有特定公式表示的重复单元和能够通过酸作用分解产生极性基团的基团的树脂；以及具有特定公式表示的离子化合物，以及包括该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物的抗蚀膜。
• Sydnes, Leiv K.; Hemmingsen, Tor H., Acta chemica Scandinavica. Series B: Organic chemistry and biochemistry, 1985, vol. 39, # 2, p. 93 - 102
  作者：Sydnes, Leiv K.、Hemmingsen, Tor H.

  DOI：——

  日期：——
• Umsetzungsprodukte von Polyetheraminen mit Polymeren alpha, beta-ungesättigter Dicarbonsäuren
  申请人：Clariant GmbH

  公开号：EP0688796B1

  公开（公告）日：1998-09-09
• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION, PROCESS FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, PATTERNING PROCESS AND FULLERENE DERIVATIVE
  申请人：Watanabe Takeru

  公开号：US20110195362A1

  公开（公告）日：2011-08-11

  There is disclosed a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography including (A) a fullerene derivative having a carboxyl group protected by a thermally labile group and (B) an organic solvent. There can be a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer in which generation of wiggling in substrate etching can be highly suppressed and the poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist can be avoided, a process for forming the resist underlayer film, a patterning process and a fullerene derivative.