3-ethyl-1-methylcyclopenta-1,3-diene | 45533-71-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 不饱和烃
• 英文名称: 3-ethyl-1-methylcyclopenta-1,3-diene
• 英文别名: 1-ethyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene；1-ethyl-3-methyl-cyclopenta-1,3-diene；1-Aethyl-3-methyl-cyclopenta-1,3-dien；1-Ethyl-3-methylcyclopenta-1,3-diene
• CAS: 45533-71-9
• 化学式: C₈H₁₂
• 分子量: 108.183
• InChiKey: PTJXTWSQQDGHHY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四(二甲氨基)锆 、 3-ethyl-1-methylcyclopenta-1,3-diene 以 甲苯 为溶剂， 以84%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  GROUP IV ELEMENT CONTAINING PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP IV ELEMENT CONTAINING FILMS

  摘要：

  一种制备含有IV族过渡金属薄膜的方法包括以下步骤： a) 将基板暴露在IV族过渡金属含有的薄膜形成组合物的蒸汽中； b) 将基板暴露在共同反应物中； c) 重复步骤a)和b)，直到使用蒸汽沉积工艺在基板上沉积所需厚度的IV族过渡金属含有的薄膜。

  公开号：

  US20220205099A1
• 作为产物：
  描述：

  3-甲基-2-环戊烯-1-酮 、 乙基溴化镁 生成 3-ethyl-1-methylcyclopenta-1,3-diene
  参考文献：
  名称：

  Taylor, Journal of the Chemical Society, 1958, p. 4779

  摘要：

  DOI：

文献信息

• WO2022/245039
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Taylor, Journal of the Chemical Society, 1958, p. 4779
  作者：Taylor

  DOI：——

  日期：——
• GROUP IV ELEMENT CONTAINING PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP IV ELEMENT CONTAINING FILMS
  申请人：L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：US20220205099A1

  公开（公告）日：2022-06-30

  A method for forming a Group IV transition metal containing film comprises a) exposing a substrate to a vapor of a Group IV transition metal containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group IV transition metal containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process,

  一种制备含有IV族过渡金属薄膜的方法包括以下步骤： a) 将基板暴露在IV族过渡金属含有的薄膜形成组合物的蒸汽中； b) 将基板暴露在共同反应物中； c) 重复步骤a)和b)，直到使用蒸汽沉积工艺在基板上沉积所需厚度的IV族过渡金属含有的薄膜。