[EN] ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE<br/>[JA] 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
申请人:FUJIFILM CORP
公开号:WO2021065450A1
公开(公告)日:2021-04-08
(A)酸分解性樹脂、(B)一般式(b1)で表される化合物、及び(C)一般式(c1)で表される化合物を含有し、化合物(B)の含有量に対する化合物(C)の含有量の割合が0.01質量%以上10質量%以下である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法。 Lは単結合又は二価の連結基を表す。Aは酸の作用により分解する基を表す。Bは酸の作用により分解する基、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。ただし、少なくとも1つのBはヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。nは1から5の整数を表す。Xはn+1価の連結基を表す。M+はスルホニウムイオン又はヨードニウムイオンを表す。