3-dodecylsulfanylthiophene-2-carbaldehyde | 1235883-23-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 3-dodecylsulfanylthiophene-2-carbaldehyde
• 英文别名: 3-(Dodecylthio)-2-thiophenecarboxaldehyde
• CAS: 1235883-23-4
• 化学式: C₁₇H₂₈OS₂
• 分子量: 312.541
• InChiKey: BHTDWSWYBVWEPR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.57
• 重原子数：
  20.0
• 可旋转键数：
  13.0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.71
• 拓扑面积：
  17.07
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  3.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-dodecylsulfanylthiophene-2-carbaldehyde 在 四氯化钛 、 锌 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以93%的产率得到2,2'-(1E)-1,2-乙炔基双[3-(十二烷基硫基)-噻吩
  参考文献：
  名称：

  高发射率和电化学稳定性的亚苯基亚乙烯基低聚物和共聚物：烷基硫烷基取代基的不寻常作用

  摘要：

  合成的，意想不到的高效光致发光，和可逆电化学p-和与烷基硫基取代基聚（亚乙烯基trithienylene）（PTTV）和聚官能新缀合噻吩基亚乙烯基材料n-掺杂（dithienylvinyl-共报道了苯并噻二唑（PDTVB）和基于二噻吩乙烯基的低聚物。通过热和X射线衍射分析，光谱学，循环伏安法和光谱电化学对材料进行了研究。有机场效应晶体管（OFET）由PTTV和PDTVB制成。通过Stille缩聚制备的聚合物表现出良好的热稳定性，并且其光致发光量子产率在34％至68％的范围内。通过光学和电化学测量估计的低带隙（1.5–1.8 eV）以及两种氧化还原态的高稳定性表明，这些结构是用于光伏应用的有前途的材料。用PDTVB制成的OFET的空穴迁移率显示为7×10 -3  cm 2 V -1 s -1开/关比为10 5，这对于完全非晶态的聚合物半导体来说是比较高的值。

  DOI：

  10.1002/adfm.200902300
• 作为产物：
  描述：

  3-溴噻吩-2-甲醛 、 十二硫醇 在 potassium carbonate 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 48.0h， 以17 g的产率得到3-dodecylsulfanylthiophene-2-carbaldehyde
  参考文献：
  名称：

  高发射率和电化学稳定性的亚苯基亚乙烯基低聚物和共聚物：烷基硫烷基取代基的不寻常作用

  摘要：

  合成的，意想不到的高效光致发光，和可逆电化学p-和与烷基硫基取代基聚（亚乙烯基trithienylene）（PTTV）和聚官能新缀合噻吩基亚乙烯基材料n-掺杂（dithienylvinyl-共报道了苯并噻二唑（PDTVB）和基于二噻吩乙烯基的低聚物。通过热和X射线衍射分析，光谱学，循环伏安法和光谱电化学对材料进行了研究。有机场效应晶体管（OFET）由PTTV和PDTVB制成。通过Stille缩聚制备的聚合物表现出良好的热稳定性，并且其光致发光量子产率在34％至68％的范围内。通过光学和电化学测量估计的低带隙（1.5–1.8 eV）以及两种氧化还原态的高稳定性表明，这些结构是用于光伏应用的有前途的材料。用PDTVB制成的OFET的空穴迁移率显示为7×10 -3  cm 2 V -1 s -1开/关比为10 5，这对于完全非晶态的聚合物半导体来说是比较高的值。

  DOI：

  10.1002/adfm.200902300