4-叔丁氧基苯乙酸 | 135066-21-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 中文名称: 4-叔丁氧基苯乙酸
• 中文别名: 对叔丁氧基苯乙酸
• 英文名称: p-(tert-butoxyphenyl)acetic acid
• 英文别名: 4-tert-butoxyphenylacetic acid；2-(4-(tert-butoxy)phenyl)acetic acid；2-[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]acetic acid
• CAS: 135066-21-6
• 化学式: C₁₂H₁₆O₃
• 分子量: 208.257
• InChiKey: XKDCCGWJZGTHPO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

安全信息

• 海关编码：
  2918990090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-叔丁氧基苯乙酸 在 palladium on activated charcoal 吡啶 、 lithium hydroxide 、 正丁基锂 、 三聚氟氰 、 lithium peroxide 、 叠氮磷酸二苯酯 、 氢气 、 双氧水 、 三乙胺 、 lithium hexamethyldisilazane 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 水 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， -78.0~80.0 ℃ 、344.73 kPa 条件下， 反应 13.25h， 生成 (S)-4-(1,1-二甲基乙氧基)-A-甲基-苯甲胺
  参考文献：
  名称：

  一种新型的受约束的HIV-1蛋白酶的还原酰胺抑制剂，该抑制剂源于将伽马转模拟物顺序并入模型基质中。

  摘要：

  将设计成将肽链的三个氨基酸残基锁定为γ转构型的C7模拟物依次引入模型HIV-1蛋白酶底物I（产生化合物II-IV）的P3至P2'位之间，以进行探测其结合HIV-1蛋白酶的构象要求。在这些化合物中，发现具有C7模拟物替代Asn-Tyr-Pro的化合物IIIa（对应于底物的P2至P1'位置）是Ki为147 microM的抑制剂。IIIa的C7模拟物中酰胺键的还原产生了新的约束还原酰胺模拟物VIa，Ki为430 nM。这对应于抑制活性比原始C7模拟物提高300倍以上。

  DOI：

  10.1021/jm00068a008
• 作为产物：
  描述：

  4-羟基苯乙酸甲酯 在 sodium hydroxide 、 三氟甲磺酸 作用下， 以 1,4-二氧六环 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 3.25h， 生成 4-叔丁氧基苯乙酸
  参考文献：
  名称：

  一种新型的受约束的HIV-1蛋白酶的还原酰胺抑制剂，该抑制剂源于将伽马转模拟物顺序并入模型基质中。

  摘要：

  将设计成将肽链的三个氨基酸残基锁定为γ转构型的C7模拟物依次引入模型HIV-1蛋白酶底物I（产生化合物II-IV）的P3至P2'位之间，以进行探测其结合HIV-1蛋白酶的构象要求。在这些化合物中，发现具有C7模拟物替代Asn-Tyr-Pro的化合物IIIa（对应于底物的P2至P1'位置）是Ki为147 microM的抑制剂。IIIa的C7模拟物中酰胺键的还原产生了新的约束还原酰胺模拟物VIa，Ki为430 nM。这对应于抑制活性比原始C7模拟物提高300倍以上。

  DOI：

  10.1021/jm00068a008

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。