在本文中,我们评估了理论计算的潜在用途,以获得最低的能级
配体(III)配合物中的重心三重态激发态。在这些络合物中,via的反发射过程(T 1 ←Tb(5 D 4))的非辐射失活是一种常见的淬灭过程。因此,对这两个激发态之间的能隙的预测对于编程高发光Tb III系统应该是有用的。我们基于一系列四个简单的芳族异羟
肟酸酯的激发态性质的实验和理论研究,报告了一种策略
配体与Tb III和Gd III离子配位 通过使用以前报告的晶体学数据,在计算的密度泛函理论(DFT)级别下,在基态和第一激发三重态下研究了这些系统的结构和能量性质。我们的理论结果与三重态激发态T 1一致,后者位于一个
配体仅其能级与
镧系离子性质无关(Tb III,Gd III)。计算出的绝热跃迁能与实验数据 衍生自 发射光谱当考虑校正项时获得。这些令人满意的结果表明,这种类型的建模可能导致区分最低
配体三重态能级在发色化合物家族中最好的