摘要:
我们已经建立了一系列合成方法来合成烷基取代的稠合噻吩,其稠合度为两个到七个环。这些稠合的噻吩环化合物在常见的有机溶剂中具有非常好的溶解性,使得这些化合物的溶液加工成为电子应用成为可能。与它们的烃类对应物相比,这些稠合噻吩的紫外线吸收发生了蓝移。带隙越大,稳定性越好。3,6-didecanyldithieno [2,3- d:2',3'- d '] thieno [3,2- b:4,5- b '']二噻吩(FT5)的单晶X射线结果3,7-二癸基噻吩并[3,2- b ]噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[2,3- d]噻吩(FT4)证明这两种化合物均形成π堆积结构,而不是人字形的堆积图案。这种更有利的π堆叠结构可以导致更好的材料电子性能,例如在用这些化合物制造的器件中的迁移率。