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1,3-Cyclopentadiene, 5-hexyl

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,3-Cyclopentadiene, 5-hexyl
英文别名
5-hexylcyclopenta-1,3-diene
1,3-Cyclopentadiene, 5-hexyl化学式
CAS
——
化学式
C11H18
mdl
——
分子量
150.264
InChiKey
PSNDKUWTDGITIY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 反应信息
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.9
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.64
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    indium(III) chloride 、 1,3-Cyclopentadiene, 5-hexyl正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 0.58h, 以24%的产率得到tris-hexylcyclopentadienyl indium
    参考文献:
    名称:
    Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same
    摘要:
    提供了生产纳米结构的方法,特别是III-V族半导体纳米结构的方法。这些方法包括使用新型III族和/或V族前体、新型表面活性剂、氧化物受体、高温和/或稳定的共产物。还描述了相关的组成物。提供了用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的生产方法和组成物。还描述了通过去除蒸汽副产物来增加合成反应中纳米结构收率的方法。
    公开号:
    US09884763B1
  • 作为产物:
    描述:
    环戊二烯1-碘己烷正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 以50%的产率得到1,3-Cyclopentadiene, 5-hexyl
    参考文献:
    名称:
    Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same
    摘要:
    提供了生产纳米结构的方法,特别是III-V族半导体纳米结构的方法。这些方法包括使用新型III族和/或V族前体、新型表面活性剂、氧化物受体、高温和/或稳定的共产物。还描述了相关的组成物。提供了用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的生产方法和组成物。还描述了通过去除蒸汽副产物来增加合成反应中纳米结构收率的方法。
    公开号:
    US09884763B1
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文献信息

  • Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same
    申请人:NANOSYS, Inc.
    公开号:US09884763B1
    公开(公告)日:2018-02-06
    Methods for producing nanostructures, particularly Group III-V semiconductor nanostructures, are provided. The methods include use of novel Group III and/or Group V precursors, novel surfactants, oxide acceptors, high temperature, and/or stable co-products. Related compositions are also described. Methods and compositions for producing Group III inorganic compounds that can be used as precursors for nanostructure synthesis are provided. Methods for increasing the yield of nanostructures from a synthesis reaction by removal of a vaporous by-product are also described.
    提供了生产纳米结构的方法,特别是III-V族半导体纳米结构的方法。这些方法包括使用新型III族和/或V族前体、新型表面活性剂、氧化物受体、高温和/或稳定的共产物。还描述了相关的组成物。提供了用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的生产方法和组成物。还描述了通过去除蒸汽副产物来增加合成反应中纳米结构收率的方法。
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