5-乙基环戊二烯 | 22516-13-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 不饱和烃
• 中文名称: 5-乙基环戊二烯
• 英文名称: 5-ethylcyclopentadiene
• 英文别名: ethyl cyclopentadiene；ethylcyclopentadiene；5-EtCp；ethylcyclopenta-2,4-diene；5-Ethyl-1,3-cyclopentadien；1,3-Cyclopentadiene, 5-ethyl；5-ethylcyclopenta-1,3-diene
• CAS: 22516-13-8
• 化学式: C₇H₁₀
• 分子量: 94.1564
• InChiKey: CLRIMWMVEVYXAK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 保留指数：
  748

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-乙基环戊二烯 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 ethylcyclopentadienyl lithium
  参考文献：
  名称：

  [EN] DEPOSITION PROCESSES USING GROUP 8 (VIII) METALLOCENE PRECURSORS
  [FR] PROCEDES DE DEPOTS METTANT EN OEUVRE DES PRECURSEURS METALLOCENES DE GROUPE 8 (VIII)

  摘要：

  公开号：

  WO2004041753A3
• 作为产物：
  描述：

  溴乙烷 、 环戊二烯 在 四丁基溴化铵 、 sodium hydroxide 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 6.0h， 以82.6%的产率得到5-乙基环戊二烯
  参考文献：
  名称：

  アルキルシクロペンタジエン化合物及びその製造方法

  摘要：

  这段文字描述了一种工业上适用的含有较低副产物的烷基环戊二烯化合物的高收率提供方法。原料及其来源的副产物含量不超过5％，而目标产物来源的副产物含量不超过3％，符合式（1）的烷基环戊二烯化合物。制备烷基环戊二烯化合物的方法包括最后混合四级铵盐、碱或烷基卤化物中的任一种，并且环戊二烯可以预先混合或最后混合。【选择图】无

  公开号：

  JP2015110581A

文献信息

• Metal complexes for chemical vapour deposition of platinum
  申请人：Doppelt Pascal

  公开号：US08604231B2

  公开（公告）日：2013-12-10

  The invention relates to platinum complexes, to a method for preparing the same and to the use thereof for the chemical vapor deposition of metal platinum. The chemical vapor deposition of platinum onto a substrate is made from a platinum organo-metal compound the includes a ligand with a cyclic structure including at least two non-adjacent C═C double bonds, and the platinum organo-metal compound has a square-lane structure in which the platinum is bonded to each of the C═C double bonds of the ligand, thereby forming a (C═C)—Pt—(C═C) of 60° to 70°.

  该发明涉及铂配合物，以及制备该配合物的方法和将其用于金属铂的化学气相沉积的用途。将铂化学气相沉积到基底上是从包含具有至少两个非相邻C═C双键的环状结构的铂有机金属化合物中进行的，而铂有机金属化合物具有一个正方形结构，在该结构中，铂与配体的每个C═C双键结合，从而形成60°至70°的(C═C)—Pt—(C═C)。
• Electrochemical synthesis of π-cyclopentadienyl(nitrosyl)nickel complexes
  作者：V. L. Shirokii、V. A. Knizhnikov、A. B. Sutormin、N. A. Maier、Yu. A. Andrianov、L. G. Sedova

  DOI：10.1007/bf01558081

  日期：1994.6

  The dependence of the yield of π-cyclopentadienyl(nitrosyl)nickel on the conditions of its electrochemical synthesis from cyclopentadiene under an atmosphere of nitric oxide has been studied with the use of a nickel anode. The general character of the reaction has been demonstrated by its extention to monosubstituted ethyl-, isopropyl-, and benzoylcyclopentadienes.

  已经使用镍阳极研究了 π-环戊二烯基（亚硝基）镍的产率与其在氧化氮气氛下由环戊二烯电化学合成的条件的关系。该反应的一般特征已通过其扩展到单取代的乙基-、异丙基-和苯甲酰基环戊二烯来证明。
• Synthesis of mono-substituted cyclopentadienes
  申请人：Boulder Scientific Company

  公开号：US07834228B1

  公开（公告）日：2010-11-16

  Synthesis of mono-substituted alkylcyclopentadienes by mixing alkyl iodides with cyclopentadienyl magnesium chloride in tetrahydrofuran is described.

  描述了通过在四氢呋喃中混合烷基碘化物和环戊二烯基氯化镁合成单取代烷基环戊二烯的方法。
• BIS(ALKYLTETRAMETHYLCYCLOPENTADIENYL)ZINC, PRECURSOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, AND PRODUCTION METHOD FOR ZINC-CONTAINING THIN FILM
  申请人：KOJUNDO CHEMICAL LABORATORY CO., LTD.

  公开号：US20210163519A1

  公开（公告）日：2021-06-03

  Provided is a precursor for chemical vapor deposition for depositing a zinc-containing thin film. Bis(alkyltetramethylcyclopentadienyl)zinc represented by the formula (1) which is liquid at room temperature and is therefore easy to handle (in the formula (1), R 1 and R 2 are alkyl group having 3 carbon atoms); a precursor for chemical vapor deposition comprising bis(alkyltetramethylcyclopentadienyl)zinc represented by the formula (2) (in the formula (2), R 3 and R 4 are alkyl group having 2-5 carbon atoms); and a production method for a zinc-containing thin film through chemical vapor deposition.

  提供了一种用于沉积含锌薄膜的化学气相沉积的前体。该前体为环戊二烯基四甲基双(烷基)锌，化学式为(1)，在室温下为液态，因此易于处理（在公式(1)中，R1和R2是具有3个碳原子的烷基）；一种化学气相沉积前体，包括环戊二烯基四甲基双(烷基)锌，化学式为(2)（在公式(2)中，R3和R4是具有2-5个碳原子的烷基）；以及一种通过化学气相沉积制备含锌薄膜的生产方法。
• Bukhtiarov, A. V.; Golyshin, V. N.; Tomilov, A. P., Journal of general chemistry of the USSR, 1989, vol. 59, # 2.2, p. 366 - 372
  作者：Bukhtiarov, A. V.、Golyshin, V. N.、Tomilov, A. P.、Kuz'min, O. V.、Lebedev, A. V.

  DOI：——

  日期：——