ethylcyclopentadienyl lithium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: ethylcyclopentadienyl lithium
• 英文别名: lithium ethylcyclopentadienide；lithium ethylcyclopentadiene；Li(EtCp)；Lithium;1-ethylcyclopenta-1,3-diene
• 化学式: C₇H₉*Li
• 分子量: 100.089
• InChiKey: ZBDWUWNQBVXRMA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.03
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ethylcyclopentadienyl lithium 、 N-甲基-N-亚硝基对甲苯磺酰胺 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 44.75h， 以82%的产率得到(EtCp)Mo(CO)2(NO)
  参考文献：
  名称：

  Organometallic precursor compounds

  摘要：

  本发明涉及有机金属前体化合物，其由式（L）M（L′）2（NO）表示，其中M是第6族金属，L是取代或未取代的阴离子配体，L′相同或不同且是π受体配体，还涉及制备该有机金属前体化合物的方法以及使用该有机金属前体化合物制备薄膜、涂层或粉末的方法。

  公开号：

  US20050215805A1
• 作为产物：
  描述：

  5-乙基环戊二烯 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 ethylcyclopentadienyl lithium
  参考文献：
  名称：

  [EN] DEPOSITION PROCESSES USING GROUP 8 (VIII) METALLOCENE PRECURSORS
  [FR] PROCEDES DE DEPOTS METTANT EN OEUVRE DES PRECURSEURS METALLOCENES DE GROUPE 8 (VIII)

  摘要：

  公开号：

  WO2004041753A3

文献信息

• Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
  申请人：Thompson M. David

  公开号：US20080081127A1

  公开（公告）日：2008-04-03

  This invention relates to organometallic compounds represented by the formula (L 1 ) y M(L 2 ) z-y wherein M is a Group 5 metal or a Group 6 metal, L 1 is a substituted or unsubstituted anionic 6 electron donor ligand, L 2 is the same or different and is (i) a substituted or unsubstituted anionic 2 electron donor ligand, (ii) a substituted or unsubstituted cationic 2 electron donor ligand, or (iii) a substituted or unsubstituted neutral 2 electron donor ligand; y is an integer of 1, and z is the valence of M; and wherein the sum of the oxidation number of M and the electric charges of L 1 and L 2 is equal to 0 .; a process for producing the organometallic compounds; and a method for depositing a metal and/or metal carbide/nitride layer, e.g., a tungsten, tungsten nitride, tungsten carbide, or tungsten carbonitride layer, on a substrate by the thermal or plasma enhanced dissociation of the organometallic precursor compounds, e.g., by CVD or ALD techniques. The metal and/or metal carbide layer is useful as a liner or barrier layer for conducting metals and high dielectric constant materials in integrated circuit manufacturing.

  该发明涉及由下式表示的有机金属化合物（L1）yM（L2）z-y，其中M是第5族金属或第6族金属，L1是取代或未取代的带负电的6电子给体配体，L2相同或不同，是（i）取代或未取代的带负电的2电子给体配体，（ii）取代或未取代的带正电的2电子给体配体，或（iii）取代或未取代的中性2电子给体配体；y是1的整数，z是M的化合价；其中M的氧化数和L1和L2的电荷之和等于0；一种生产有机金属化合物的方法；以及通过热或等离子增强分解有机金属前体化合物，在基底上沉积金属和/或金属碳化物/氮化物层，例如钨、钨氮化物、钨碳化物或钨碳氮化物层的方法，例如通过化学气相沉积或原子层沉积技术。金属和/或金属碳化物层可用作集成电路制造中导电金属和高介电常数材料的衬底或屏障层。
• METHODS FOR SYNTHESIS OF HETEROLEPTIC CYCLOPENTADIENYL TRANSITION METAL PRECURSORS
  申请人：Dussarrat Christian

  公开号：US20100022790A1

  公开（公告）日：2010-01-28

  Methods for forming heteroleptic amidinate or guanidinate cyclopentadienyl containing transition metal precursors through synthesis reactions.

  通过合成反应形成含有杂配体的酰胺基或脲基环戊二烯基过渡金属前体的方法。
• Metallocene derivatives of early transition metals. Part 2. Substituted cyclopentadienyl Group 4A dichloro-metallocene complexes [M(η-C₅H₄R)₂Cl₂](M = Zr or Hf; R = Me, Et, Prⁱ, Bu^t, or SiMe₃), their mono- and di-alkyl derivatives [M(η-C₅H₄R)₂R′X](X = Cl or R′; R′= CH₂SiMe₃or CH₂CMe₃), and their d¹reduction products
  作者：Michael F. Lappert、Christopher J. Pickett、Paul I. Riley、Paul I. W. Yarrow

  DOI：10.1039/dt9810000805

  日期：——
• TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING SAME, TANTALUM-CONTAINING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING SAME
  申请人：Tosoh Corporation

  公开号：EP1852438B1

  公开（公告）日：2011-06-01
• Dyagileva, L. M.; Tsyganova, E. I.; Mar'in, V. P., Journal of general chemistry of the USSR, 1991, vol. 61, p. 658 - 661
  作者：Dyagileva, L. M.、Tsyganova, E. I.、Mar'in, V. P.

  DOI：——

  日期：——