p 型和双极性聚合物场效应晶体管 (FET) 的电荷载流子迁移率已得到显着提高。尽管如此,高迁移率的 n 型聚合物很少见,并且很少能在环境条件下运行。这种情况主要是由于缺电子强积木的稀缺造成的。在此,我们提出了两种新型缺电子构件,FB
DOPV-1 和 FB
DOPV-2,其 LUMO
水平低至 -4.38 eV。在这两个构建模块的基础上,我们开发了两种聚(对亚苯基亚
乙烯基)衍
生物 (PPV),FB
DPPV-1 和 FB
DPPV-2,用于高性能 n 型聚合物 FET。
氟原子的引入有效地降低了两种聚合物的 LUMO 能级,导致 LUMO 能级低至 -4.30 eV。
氟化使两种聚合物不仅具有较低的 LUMO
水平,而且具有更有序的薄膜堆积,更小的π-π堆积距离,更强的链间相互作用和聚合物骨架的锁定构象。所有这些因素为 FB
DPPV-1 提供高达 1.70 cm(2) V(-1) s(-1) 的高电