tetrakis(ethylmethylamino) hafnium | 352535-01-4

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机铋、钴、镨、钆、镓、铱、铼、钇、铽等
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: tetrakis(ethylmethylamino) hafnium
• 英文别名: hafnium;N-methylethanamine
• CAS: 352535-01-4
• 化学式: C₁₂H₃₆HfN₄
• 分子量: 414.935
• InChiKey: HEMVIQFEEIQOAF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  <-50 °C
• 沸点：
  79 °C0.1 mm Hg(lit.)
• 密度：
  1.324 g/mL at 25 °C(lit.)
• 闪点：
  52 °F

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.9
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  48.1
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  4

安全信息

• TSCA：
  No
• 危险等级：
  4.3
• 危险品标志：
  F,Xi
• 安全说明：
  S16,S26,S36
• 危险类别码：
  R11
• WGK Germany：
  3
• 海关编码：
  2921199090
• 包装等级：
  II
• 危险类别：
  4.3
• 危险品运输编号：
  UN 3398 4.3/PG 2

制备方法与用途

用途

四双(乙基甲基氨)铪(IV)是化学气相沉积（CVD）或原子层沉积工艺中生长氮化铪或氧化铪的关键原材料。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrakis(ethylmethylamino) hafnium 、 重水 以 重水 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  通过在原子层沉积过程中插入的循环 D[sub 2]O 自由基退火提高热稳定性

  摘要：

  循环 D 2 O 自由基退火被插入到 Si 上 HfO 2 栅极电介质的原子层沉积 (ALD) 中。通过将这种特殊的退火技术结合到 ALD 工艺中，可以显着提高栅极电介质对沉积后退火 (PDA) 的热稳定性。即使在 900°C PDA 之后，HfO 2 栅极电介质的低等效氧化层厚度仍保持不变。

  DOI：

  10.1149/1.3526310