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5,5,5-trifluoro-4-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pentan-2-yl 2-fluoroacrylate | 1171191-33-5

中文名称
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中文别名
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英文名称
5,5,5-trifluoro-4-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pentan-2-yl 2-fluoroacrylate
英文别名
5,5,5-Trifluoro-4-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pentan-2-yl 2-fluoroacrylate;[5,5,5-trifluoro-4-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pentan-2-yl] 2-fluoroprop-2-enoate
5,5,5-trifluoro-4-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pentan-2-yl 2-fluoroacrylate化学式
CAS
1171191-33-5
化学式
C9H9F7O3
mdl
——
分子量
298.157
InChiKey
LAZHFQXRFPZVMP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.2
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    46.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    10

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    POLYMERIZABLE FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
    摘要:
    提供了一种适用于半导体器件生产中形成细微图案的层压光刻胶的抗蚀层和保护层的聚合可聚合含氟单体和含氟聚合物,特别适用于使用水作为液体介质的浸没光刻术,并提供了一种形成光刻胶图案的方法。可聚合含氟单体由公式(1)表示:其中R1是氢原子或1至15个碳原子的单价饱和或不饱和碳氢基团,碳氢基团可以是链状或环状结构,并且可以具有氧原子、氮原子、硫原子或卤素原子,聚合物是单体的均聚物或共聚物,使用这种均聚物或共聚物进行光刻胶图案形成的方法是通过浸没光刻术实现的。
    公开号:
    US20100297564A1
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文献信息

  • POLYMERIZABLE FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
    申请人:Yamashita Tsuneo
    公开号:US20100297564A1
    公开(公告)日:2010-11-25
    A polymerizable fluorine-containing monomer and a fluorine-containing polymer which are suitable for a resist layer and a protective layer of a laminated resist for forming a fine pattern in production of semiconductor devices, and further are useful especially in immersion lithography using water as a liquid medium, and a method of forming a resist pattern are provided. The polymerizable fluorine-containing monomer is represented by the formula (1): wherein R 1 is hydrogen atom or a monovalent saturated or unsaturated hydrocarbon group of 1 to 15 carbon atoms, and the hydrocarbon group may be chain or cyclic structure and may have oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom or halogen atom, the polymer is a homopolymer or copolymer of the monomer, and the method of forming a resist pattern using such a homopolymer or copolymer is carried out by immersion lithography.
    提供了一种适用于半导体器件生产中形成细微图案的层压光刻胶的抗蚀层和保护层的聚合可聚合含氟单体和含氟聚合物,特别适用于使用水作为液体介质的浸没光刻术,并提供了一种形成光刻胶图案的方法。可聚合含氟单体由公式(1)表示:其中R1是氢原子或1至15个碳原子的单价饱和或不饱和碳氢基团,碳氢基团可以是链状或环状结构,并且可以具有氧原子、氮原子、硫原子或卤素原子,聚合物是单体的均聚物或共聚物,使用这种均聚物或共聚物进行光刻胶图案形成的方法是通过浸没光刻术实现的。
  • PHOTORESIST TOPCOAT COMPOSITIONS AND METHODS OF PROCESSING PHOTORESIST COMPOSITIONS
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials LLC
    公开号:US20190203065A1
    公开(公告)日:2019-07-04
    Photoresist topcoat compositions, comprising: a first polymer that is aqueous base soluble and is present in an amount of from 70 to 99 wt % based on total solids of the composition; a second polymer comprising a repeat unit of general formula (IV) and a repeat unit of general formula (V): wherein: R 5 independently represents H, halogen atom, C1-C3 alkyl, or C1-C3 haloalkyl; R 6 represents linear, branched or cyclic C1 to C20 fluoroalkyl; R 7 represents linear, branched or cyclic C1 to C20 fluoroalkyl; L 3 represents a multivalent linking group; and m is an integer of from 1 to 5; wherein the second polymer is free of non-fluorinated side chains; and wherein the second polymer is present in an amount of from 1 to 30 wt % based on total solids of the composition and a solvent. The invention finds particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
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