Structural, Magnetic, and Electronic Properties of Phenolic Oxime Complexes of Cu and Ni
作者:Alexander M. Whyte、Benjamin Roach、David K. Henderson、Peter A. Tasker、Michio M. Matsushita、Kunio Awaga、Fraser J. White、Patricia Richardson、Neil Robertson
DOI:10.1021/ic2020644
日期:2011.12.19
Square planar complexes of the type Ni(L1)2, Ni(L2)2, Cu(L1)2, and Cu(L2)2, where L1H = 2-hydroxy-5-t-octylacetophenone oxime and L2H = 2-hydroxy-5-n-propylacetophenone oxime, have been prepared and characterized by single-crystal X-ray diffraction, cyclic voltammetry, UV/vis spectroscopy, field-effect-transistor measurements, density functional theory (DFT) and time-dependent DFT (TDDFT) calculations
Ni(L 1)2,Ni(L 2)2,Cu(L 1)2和Cu(L 2)2类型的方形平面络合物,其中L 1 H = 2-羟基-5- t-辛基苯乙酮肟并且L 2 H = 2-羟基-5- n-丙基苯乙酮肟已经制备,并通过单晶X射线衍射,循环伏安法,紫外/可见光谱,场效应晶体管测量,密度泛函理论(DFT)和时变DFT(TDDFT)计算进行了表征,并且,对于顺磁性物质,是电子顺磁共振(EPR)和磁化率。配体上的烷基从变异吨辛基到Ñ丙基启用在M(L的晶体结构的复合物的电子隔离1)2与对Mπ堆叠相互作用(L对比2)2(M =镍,铜)。Cu(L 2)的一维反铁磁链证明了这一点。2(Cu)(L 1)2的理想顺磁行为,低至1.8K。尽管M(L 2)2具有同构单晶结构,薄膜X射线衍射和扫描电子显微镜(SEM)仍显示出不同的形态。金属及其沉积方法(蒸气或溶液)。铜配合物在中心金属和离域配体之间显示出有限的电子相互作