E-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen | 51007-80-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: E-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen
• 英文别名: [(E)-2-ethoxyethenyl]cyclohexane
• CAS: 51007-80-8
• 化学式: C₁₀H₁₈O
• 分子量: 154.252
• InChiKey: LDAOJPWOOHQXAX-CMDGGOBGSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.6
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Z-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen 、 E-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen 、 (氯亚甲基)二甲基氯化铵 以57%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  REICHARDT, CH.;FERWANAH, ABDEL-RAHMAN;PRESSLER, W.;YUN, KYEONG-YEOL, LIEBIGS ANN. CHEM., 1984, N 4, 649-679

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1-Cyclohexyl-2,2-diethoxyethan 在 吡啶 、 磷酸 作用下， 生成 Z-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen 、 E-1-Cyclohexyl-2-ethoxyethylen
  参考文献：
  名称：

  Reichardt, Christian; Ferwanah, Abdel-Rahman; Pressler, Wilfried, Liebigs Annalen der Chemie, 1984, # 4, p. 649 - 679

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Negative-working resist composition
  申请人：FUJI PHOTO FILM CO., LTD.

  公开号：EP1117002A1

  公开（公告）日：2001-07-18

  A chemical amplification system negative-working resist composition for an electron beam and/or an X-ray, which is excellent in sensitivity and resolution and has a rectangular profile, comprising an alkali-soluble resin having structural units represented by the following general formula (a), a compound generating an acid by irradiation of the electron beam or the X-ray, and a crosslinking agent which initiates crosslinking by the acid:

  一种用于电子束和/或 X 射线的化学放大系统负工作抗蚀剂组合物，具有优异的灵敏度和分辨率，并具有矩形轮廓，由具有下式（a）所代表结构单元的碱溶性树脂、通过电子束或 X 射线辐照产生酸的化合物以及通过酸引发交联的交联剂组成：
• CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, PHOTOMASK AND POLYMER COMPOUND
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP2666057A1

  公开（公告）日：2013-11-27
• US6673512B1
  申请人：——

  公开号：US6673512B1

  公开（公告）日：2004-01-06
• US9625813B2
  申请人：——

  公开号：US9625813B2

  公开（公告）日：2017-04-18
• [EN] CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, PHOTOMASK AND POLYMER COMPOUND<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSERVE À AMPLIFICATION CHIMIQUE, COUCHE DE RÉSERVE UTILISANT LA COMPOSITION, ÉBAUCHES DE MASQUE RECOUVERTES DE RÉSINE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE, PHOTOMASQUE ET COMPOSÉ POLYMÈRE
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2012098822A1

  公开（公告）日：2012-07-26

  A chemical amplification resist composition contains: (A) a polymer compound having a structure where a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is replaced by a group having a non-acid-decomposable polycyclic alicyclic hydrocarbon structure; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation.