一系列新的高度可溶性bispyrrolothiophenes通过使用过渡
金属催化的C来自
乙烯基基
叠氮化物的合成氢键官能化。除了修饰存在于
吡咯并
噻吩末端的取代基外,两个单元之间的
芳烃连接基也发生了变化。比较了这些双
吡咯并
噻吩的溶液状态性质和场效应晶体管(FET)的电性能。我们的研究表明,我们化合物的光学性质和氧化潜能主要由具有最大λ的
吡咯并
噻吩单元决定。 大约400 nm的电导率和大约1 V的氧化值。用这些双
吡咯并
噻吩的薄膜构造的FET器件也通过薄膜溶液处理来制造。这些化合物之一是与苯并
硫基二唑连接的双
吡咯并
噻吩,其迁移率约为0.3 cm 2 V -1 s -1,I on / I off值大于10 6。