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i-Bu3GeCl | 20145-95-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
i-Bu3GeCl
英文别名
Chlor-triisobutyl-german;Chlortriisobutylgerman;Chloro-tris(2-methylpropyl)germane;chloro-tris(2-methylpropyl)germane
i-Bu<sub>3</sub>GeCl化学式
CAS
20145-95-3
化学式
C12H27ClGe
mdl
——
分子量
279.389
InChiKey
WXRZFPQELWOYQV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.14
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    i-Bu3GeCl乙腈 为溶剂, 反应 66.0h, 生成 i-Bu3GeGePh3
    参考文献:
    名称:
    Digermanes中的取代基效应:电化学,理论和结构研究
    摘要:
    所述digermanes - [R 3 GeGePh 3(R 3 =卜我3,六角Ñ 3,(C 18 H ^ 37)3,或卜吨我2)使用所述hydrogermolysis反应合成和Bu的X射线晶体结构我3 GeGePh 3和卜吨我2 GeGePh 3进行了测定。异丁基取代的乙锗烷包含具有2.4410(5)和2.4409(5)的Ge-Ge结合的距离的单元电池的两个独立分子和Bu吨我2 GeGePh3的Ge–Ge键距为2.4255(3)Å。这四个Digermanes和四个附加Digermanes R 3 GeGePh 3(R 3 = Me 3,Bu n 3,Bu s 3或PhMe 2通过循环伏安法,差动脉冲伏安法和线性扫描伏安法表征),以确定变化的取代基图案对这些系统的氧化电势的影响。与具有较少的感应供电的取代基的那些相比,具有更多的感应供电的取代基的Digermanes表现出更多的负氧化电势。
    DOI:
    10.1021/om400132z
  • 作为产物:
    描述:
    i-Bu3GeH 、 copper dichloride 以 乙醚 为溶剂, 反应 16.0h, 以79%的产率得到i-Bu3GeCl
    参考文献:
    名称:
    Digermanes中的取代基效应:电化学,理论和结构研究
    摘要:
    所述digermanes - [R 3 GeGePh 3(R 3 =卜我3,六角Ñ 3,(C 18 H ^ 37)3,或卜吨我2)使用所述hydrogermolysis反应合成和Bu的X射线晶体结构我3 GeGePh 3和卜吨我2 GeGePh 3进行了测定。异丁基取代的乙锗烷包含具有2.4410(5)和2.4409(5)的Ge-Ge结合的距离的单元电池的两个独立分子和Bu吨我2 GeGePh3的Ge–Ge键距为2.4255(3)Å。这四个Digermanes和四个附加Digermanes R 3 GeGePh 3(R 3 = Me 3,Bu n 3,Bu s 3或PhMe 2通过循环伏安法,差动脉冲伏安法和线性扫描伏安法表征),以确定变化的取代基图案对这些系统的氧化电势的影响。与具有较少的感应供电的取代基的那些相比,具有更多的感应供电的取代基的Digermanes表现出更多的负氧化电势。
    DOI:
    10.1021/om400132z
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文献信息

  • Substituent Effects in Digermanes: Electrochemical, Theoretical, and Structural Investigations
    作者:Erin K. Schrick、Trevor J. Forget、Kimberly D. Roewe、Aaron C. Schrick、Curtis E. Moore、James A. Golen、Arnold L. Rheingold、Nicholas F. Materer、Charles S. Weinert
    DOI:10.1021/om400132z
    日期:2013.4.8
    four digermanes and the four additional digermanes R3GeGePh3 (R3 = Me3, Bun3, Bus3, or PhMe2) were characterized by cyclic voltammetry, differential pulse voltammetry, and linear sweep voltammetry in order to determine the effects of varying substituent patterns on the oxidation potential of these systems. Digermanes having more inductively donating substituents exhibit more negative oxidation potentials
    所述digermanes - [R 3 GeGePh 3(R 3 =卜我3,六角Ñ 3,(C 18 H ^ 37)3,或卜吨我2)使用所述hydrogermolysis反应合成和Bu的X射线晶体结构我3 GeGePh 3和卜吨我2 GeGePh 3进行了测定。异丁基取代的乙锗烷包含具有2.4410(5)和2.4409(5)的Ge-Ge结合的距离的单元电池的两个独立分子和Bu吨我2 GeGePh3的Ge–Ge键距为2.4255(3)Å。这四个Digermanes和四个附加Digermanes R 3 GeGePh 3(R 3 = Me 3,Bu n 3,Bu s 3或PhMe 2通过循环伏安法,差动脉冲伏安法和线性扫描伏安法表征),以确定变化的取代基图案对这些系统的氧化电势的影响。与具有较少的感应供电的取代基的那些相比,具有更多的感应供电的取代基的Digermanes表现出更多的负氧化电势。
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