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<<2-(1H-tetrazol-5-yl)ethyl>imino>bisethanol
<<2-(1H-tetrazol-5-yl)ethyl>imino>bisethanol | 118836-29-6
分子结构分类
有机化合物
-
有机杂环化合物
-
唑类
中文名称
——
中文别名
——
英文名称
<<2-(1H-tetrazol-5-yl)ethyl>imino>bisethanol
英文别名
3-(bis-(2-hydroxyethyl))aminopropyltetrazole;2,2'-[2-(1(2)
H
-tetrazol-5-yl)-ethylazanediyl]-bis-ethanol;5-
-tetrazol;NoName_3352;2-[2-hydroxyethyl-[2-(2H-tetrazol-5-yl)ethyl]amino]ethanol
CAS
118836-29-6
化学式
C
7
H
15
N
5
O
2
mdl
——
分子量
201.228
InChiKey
AHFVLWRCUHFUJY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
物化性质
计算性质
ADMET
安全信息
SDS
制备方法与用途
上下游信息
反应信息
文献信息
表征谱图
同类化合物
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相关结构分类
计算性质
辛醇/水分配系数(LogP):
-1.97
重原子数:
14.0
可旋转键数:
7.0
环数:
1.0
sp3杂化的碳原子比例:
0.86
拓扑面积:
98.16
氢给体数:
3.0
氢受体数:
6.0
反应信息
作为反应物:
描述:
1,6-己二异氰酸酯
、
<<2-(1H-tetrazol-5-yl)ethyl>imino>bisethanol
以
N,N-二甲基甲酰胺
为溶剂, 反应 8.0h, 生成 Fmoc-Ser(tBu)-Wang resin
参考文献:
名称:
Synthesis and shape memory behavior study of hyperbranched poly(urethane-tetrazole)
摘要:
使用己二异氰酸酯(HDI)和3-(双-(2-羟乙基))氨丙基四唑(HAPTZ)通过“A2+BB2'”方法合成了一种新型超支化聚(氨基甲酸酯-四唑)(HPUTZ)。通过 FTIR 和 1H NMR 光谱对分子结构进行了表征。通过GPC分析测得数均分子量为1.05×104g/mol,多分散性为1.27。 HPUTZ通过聚乙二醇(PEG)与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)反应的半加合物(PEG-IPDI)进一步固化,形成不同HAPTZ与PEG-IPDI比例的交联HAPTZ-PU薄膜。根据 DSC 分析,随着 HPUTZ 含量从 20% 增加到 33%,HAPTZ-PU 的玻璃化转变温度从 44.9 °C 增加到 56.4 °C。 DMA结果表明,含有20%HPUTZ的HPUTZ-PU具有最高的储能模量和损耗角正切。然而,在较高温度下,储能模量随着HPUTZ段的增加而增加。形状记忆研究表明,所有薄膜均表现出优异的形状记忆功能。 HAPTZ 段含量为 20%~33% 的 HAPTZ-PU 在拉伸变形试验中 60 s 内和在 80 °C 的弯曲变形试验中 40 s 内可以获得超过 98% 的形状恢复。
DOI:
10.1007/s11426-011-4316-9
作为产物:
描述:
N-(2-氰乙基)二乙醇胺
在 sodium azide 、 zinc(II) chloride 、
盐酸
作用下, 以
N,N-二甲基甲酰胺
、
水
为溶剂, 反应 60.0h, 生成
<<2-(1H-tetrazol-5-yl)ethyl>imino>bisethanol
参考文献:
名称:
Synthesis and shape memory behavior study of hyperbranched poly(urethane-tetrazole)
摘要:
使用己二异氰酸酯(HDI)和3-(双-(2-羟乙基))氨丙基四唑(HAPTZ)通过“A2+BB2'”方法合成了一种新型超支化聚(氨基甲酸酯-四唑)(HPUTZ)。通过 FTIR 和 1H NMR 光谱对分子结构进行了表征。通过GPC分析测得数均分子量为1.05×104g/mol,多分散性为1.27。 HPUTZ通过聚乙二醇(PEG)与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)反应的半加合物(PEG-IPDI)进一步固化,形成不同HAPTZ与PEG-IPDI比例的交联HAPTZ-PU薄膜。根据 DSC 分析,随着 HPUTZ 含量从 20% 增加到 33%,HAPTZ-PU 的玻璃化转变温度从 44.9 °C 增加到 56.4 °C。 DMA结果表明,含有20%HPUTZ的HPUTZ-PU具有最高的储能模量和损耗角正切。然而,在较高温度下,储能模量随着HPUTZ段的增加而增加。形状记忆研究表明,所有薄膜均表现出优异的形状记忆功能。 HAPTZ 段含量为 20%~33% 的 HAPTZ-PU 在拉伸变形试验中 60 s 内和在 80 °C 的弯曲变形试验中 40 s 内可以获得超过 98% 的形状恢复。
DOI:
10.1007/s11426-011-4316-9
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文献信息
Shikhova, I. A.; Latosh, N. I., Journal of general chemistry of the USSR, 1989, vol. 59, # 2.2, p. 413 - 415
作者:
Shikhova, I. A.、Latosh, N. I.
DOI:
——
日期:
——
SHIXOVA, I. A.;LATOSH, N. I., ZH. OBSHCH. XIMII, 59,(1989) N, S. 465-468
作者:
SHIXOVA, I. A.、LATOSH, N. I.
DOI:
——
日期:
——
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