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2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene | 1379763-78-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
英文别名
7,18-Bis(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl)-6,8,17,19-tetrazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1,3(12),4,6,8,10,13(23),14,16,18,20(24),21,25-tridecaene;7,18-bis(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl)-6,8,17,19-tetrazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1,3(12),4,6,8,10,13(23),14,16,18,20(24),21,25-tridecaene
2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene化学式
CAS
1379763-78-6
化学式
C28H8F14N4
mdl
——
分子量
666.376
InChiKey
DGUUGWCYJLBRNK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.6
  • 重原子数:
    46
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    7.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.21
  • 拓扑面积:
    51.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    18

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene 作用下, 以 硫酸 为溶剂, 反应 10.0h, 以81%的产率得到2,9-bis(heptafluoropropyl)-4,7,11,14-tetrabromo-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
    参考文献:
    名称:
    核心溴化四氮杂戊并吡咯酮作为柔性衬底上有机互补电路的n通道半导体
    摘要:
    有机薄膜晶体管(TFT)是通过在芳族核上具有溴取代基的2,9-双(全氟烷基)-取代的四氮杂戊二烯(TAPPs)进行真空沉积和溶液剪切而制备的。通过将已知的未取代TAPP与溴在发烟硫酸中反应合成TAPP衍生物,并通过循环伏安法详细研究其电化学性质,并使用密度泛函理论(DFT)方法进行建模。最低的未占据分子轨道(LUMO)能量和电子亲和力表明,核心溴化TAPPs应表现出n通道半导体特性。电子向上的迁移率建立的TFT的电流-电压特性以μ Ñ =0.032厘米2 V -1小号-1 的衍生物,随后在柔性塑料基板(PEN)上制造互补环形振荡器的过程中对其进行了处理。
    DOI:
    10.1002/adfm.201203600
  • 作为产物:
    描述:
    七氟丁酸酐4,10-diiminoperylene-3,9-diamine三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 72.0h, 以53%的产率得到2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
    参考文献:
    名称:
    四氯化四氮杂戊并吡喃酮(TAPP):用于空气稳定的有机n沟道晶体管和互补电路的高荧光染料和半导体
    摘要:
    甲范围2,9-全氟烷基取代的tetraazaperopyrene(TAPP)衍生物(1 - 5)通过4,9-二氨基-3,10-二亚胺醌(DPDI)在存在相应的羧酸酰氯或酸酐反应来合成一个基地。化合物的反应1 - 4与浓硫酸二氯异氰尿酸(DIC)导致tetraazaperopyrene芯的四倍替代,得到2,9- bisperfluoroalkyl-4,7,11,14四氯1,3,8 ,10-四氮杂戊并戊烯6 – 9, 分别。光学和电化学数据证明了核取代对性能的巨大影响。所有化合物均具有高发光性(荧光量子产率高达Φ = 0.8)。发现四氯化的TAPP衍生物的LUMO能量(通过循环伏安法测定并通过DFT计算来计算)低于-4eV。在这项工作的过程中,研究了TAPP衍生物在有机薄膜晶体管(TFT)中的性能,并研究了它们的n沟道特性,其场效应迁移率高达0.14 cm 2  V -1  s -1且导通/截止电流比>
    DOI:
    10.1002/chem.201103158
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