1-norborn-5-en-2-yl-heptan-1-one | 70353-63-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1-norborn-5-en-2-yl-heptan-1-one
• 英文别名: 1-(2-Bicyclo[2.2.1]hept-5-enyl)heptan-1-one
• CAS: 70353-63-8
• 化学式: C₁₄H₂₂O
• 分子量: 206.328
• InChiKey: UAEQIKLMUHYLFQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  90 °C(Press: 0.7 Torr)
• 密度：
  0.971±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.79
• 拓扑面积：
  17.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-norborn-5-en-2-yl-heptan-1-one 500.0 ℃ 、13.33 kPa 条件下， 生成 1-壬烯-3-酮
  参考文献：
  名称：

  Stetter,H.; Landscheidt,A., Chemische Berichte, 1979, vol. 112, p. 1410 - 1419

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  5-降冰片烯-2-甲醛 、 溴己烷 生成 1-norborn-5-en-2-yl-heptan-1-one
  参考文献：
  名称：

  Stetter,H.; Landscheidt,A., Chemische Berichte, 1979, vol. 112, p. 1410 - 1419

  摘要：

  DOI：

文献信息

• MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20180059545A1

  公开（公告）日：2018-03-01

  In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.

  在一个首选实施例中，提供了包含以下化学式（I）结构的聚合物： 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
• PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20170090283A1

  公开（公告）日：2017-03-30

  New photoresists are provided that are useful in a variety of applications, including negative-tone development processes. Preferred resists comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.

  提供了新的光阻剂，可用于各种应用，包括负调色剂开发过程。首选光阻剂包括第一聚合物，其中包括与聚合物骨架间隔的含有反应性氮基团的第一单元，其中氮基团在光刻处理光阻剂组合物期间产生碱性裂解产物。
• OVERCOAT COMPOSITIONS AND METHODS FOR PHOTOLITHOGRAPHY
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20170090287A1

  公开（公告）日：2017-03-30

  Topcoat compositions are provided that are suitably applied above a photoresist composition. Preferred topcoat compositions comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.

  提供了适合应用在光阻剂组合物上方的面漆组合物。首选的面漆组合物包括第一聚合物，其中第一单元包括与聚合物主链相距的含反应性氮基团，氮基团在光刻加工光阻剂组合物时产生碱性裂解产物。
• STETTER H.; LANDSCHEIDT A., CHEM. BER., 1979, 112, NO 4, 1410-1419
  作者：STETTER H.、 LANDSCHEIDT A.

  DOI：——

  日期：——
• PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：US20160109800A1

  公开（公告）日：2016-04-21

  Provided are photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns by a negative tone development process. Also provided are methods of forming photolithographic patterns by a negative tone development process and substrates coated with the photoresist compositions. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.