1,2-Dimethoxy-hexafluor-cyclobutan | 647-99-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1,2-Dimethoxy-hexafluor-cyclobutan
• 英文别名: 1,2-Dimethoxy-perfluor-cyclobutan；1,2-Dimethoxy-perfluorcyclobutan；1,2-Dimethoxyhexafluorcyclobutan；1,1,2,2,3,4-Hexafluoro-3,4-dimethoxycyclobutane
• CAS: 647-99-4
• 化学式: C₆H₆F₆O₂
• 分子量: 224.103
• InChiKey: AKNYUKKDMOMCPL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.7
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-Dimethoxy-hexafluor-cyclobutan 在 硫酸 作用下， 生成 3,3,4,4-四氟环丁烷-1,2-二酮
  参考文献：
  名称：

  PERFLUOROCYCLOBUTANONES

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01470a046
• 作为产物：
  描述：

  methyl 1,2,2-trifluorovinyl ether 生成 1,2-Dimethoxy-hexafluor-cyclobutan
  参考文献：
  名称：

  PERFLUOROCYCLOBUTANONES

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01470a046

文献信息

• Cross Linked Organic Conductive Layer
  申请人：Gough Neil

  公开号：US20110245429A1

  公开（公告）日：2011-10-06

  The present invention provides various compounds, compositions, methods, and processes for forming a cross-linked conductive polymeric layer in an electronic device.

  本发明提供了各种化合物、组合物、方法和过程，用于在电子设备中形成交联导电聚合层。
• Dry Etching Gas and Method of Dry Etching
  申请人：Sekiya Akira

  公开号：US20080274334A1

  公开（公告）日：2008-11-06

  A dry etching gas comprising a C 4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O 2 , O 3 , CO, CO 2 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CF 4 , C 2 F 6 , and C 3 F 8 ; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干法刻蚀气体，包括C4-6氟化合物，其具有醚键或羰基基团和分子中的一个或多个氟原子，仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子与碳原子的比例（F/C）为1.9或更低（前提是该化合物既不是具有一个环状醚键和一个碳-碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基基团的饱和氟化合物）;混合干法刻蚀气体包括干法刻蚀气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6和C3F8的气体的气体;以及一种干法刻蚀方法，包括将这些干法刻蚀气体之一转化为等离子体，并用等离子体处理半导体材料。这些干法刻蚀气体可以安全使用，对全球环境的影响减少，并且可以高度选择性地干法刻蚀半导体材料以形成令人满意的图案形状。这种干法刻蚀方法采用这些干法刻蚀气体之一。
• DRY ETCHING GASES AND METHOD OF DRY ETCHING
  申请人：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

  公开号：EP1760769A1

  公开（公告）日：2007-03-07

  A dry etching gas comprising a C4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O2, O3, CO, CO2, CHF3, CH2F2, CF4, C2F6, and C3F8; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干蚀刻气体，包括一种C4-6氟化合物，其分子中具有一个醚键或羰基和一个或多个氟原子，且仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子数与碳原子数之比（F/C）为1.9 或更低（条件是该化合物既不是具有一个环醚键和一个碳碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基的饱和氟化合物）；一种混合干蚀刻气体，包括干蚀刻气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6 和 C3F8 组成的组的气体；以及一种干蚀刻方法，该方法包括将上述任一种干蚀刻气体转化为等离子体，并用该等离子体处理半导体材料。干蚀刻气体可以安全使用，对全球环境的影响较小，并能以较高的干蚀刻速率高度选择性地对半导体材料进行干蚀刻，以形成令人满意的图案形状。干蚀刻方法采用上述任何一种干蚀刻气体。
• US7368514B2
  申请人：——

  公开号：US7368514B2

  公开（公告）日：2008-05-06
• PERFLUOROCYCLOBUTANONES
  作者：David C. England

  DOI：10.1021/ja01470a046

  日期：1961.5