二丁基二氟锡 | 563-25-7

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机锡
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 中文名称: 二丁基二氟锡
• 英文名称: Dibutyldifluorotin
• 英文别名: Di-n-butyl-zinn-difluorid；Difluor-dibutyl-zinn；Di-n-butyl-difluor-stannan；dibutyltin difluoride
• CAS: 563-25-7
• 化学式: C₈H₁₈F₂Sn
• 分子量: 270.938
• InChiKey: UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L

物化性质

• 熔点：
  157-9°C
• 沸点：
  148.7°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.97
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 安全说明：
  S22,S36/37/39
• 危险类别码：
  R20/21/22
• 危险品运输编号：
  UN 3146

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二丁基二氟锡 生成 锡石(sno2)
  参考文献：
  名称：

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  二丁基二氯化锡 在 sodium fluoride or potassium fluoride 作用下， 以 丙酮 为溶剂， 生成 二丁基二氟锡
  参考文献：
  名称：

  一些具有氮和氧供体配体的二卤代二有机锡二卤化物和双假卤化物配合物的合成和119mmössbauer光谱

  摘要：

  合成和119米的类型R的114个络合物的Sn穆斯堡尔谱2 SNX 2，L 2（RME等，正PR，正丁基，正-十月中，Ph，BZ; X氟，氯，溴，I，NCS，L 2 2单齿或二齿1 O-或N-供配体（S）），其中74个是新的，则报告。大部分复合物是同构的，具有八面体反式-R 2 SNX 4几何约锡，而二苯基复合物5（RPh值; X氯，L 2 AMP，Nphen; XNCS，L 2  bipy，phen，TMphen）采用顺式-R 2 SnX 4八面体结构。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)85834-9
• 作为试剂：
  描述：

  反式-1-苯基-2-丁烯-1-酮 在 二丁基锡烷 、 二丁基二氟锡 、 lithium iodide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以83%的产率得到苯丁酮
  参考文献：
  名称：

  Sn-F 和 Li-X 之间新的卤素交换反应：α,β-不饱和酮的选择性 1,2-和 1,4-还原以及卤素取代基对有机锡氢化物区域选择性的影响

  摘要：

  我们发现，在氢化锡试剂中，Sn-F 和 Li-X（X = I，Br，Cl）之间有效地发生了卤素交换。这一事实导致 α,β-不饱和酮 1 用 Bu2SnH2–Bu2SnF2（试剂 A）还原的区域化学发生完全变化：试剂 A 与 HMPA 结合使用进行 1,2-还原，而添加 LiI试剂 A 实现了 1,4-还原。结果表明，有机锡氢化物的区域选择性很大程度上取决于与锡原子相连的卤素取代基的性质。

  DOI：

  10.1246/bcsj.72.465

文献信息

• Reactions of n-butyltin hydrides with n-butyltin halides
  作者：Albert K. Sawyer、Joyce E. Brown

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)82378-5

  日期：1966.5

  Tri-n-butyltin hydride reacts with di-n-butyltin difluoride, di-n-butyltin di-chloride, di-n-butyltin dibromide, and di-n-butyltin diiodide in a I:I mole ratio to give the respective di-n-butyltin halide hydrides. Subsequent reactions with tri-n-butyltin hydride yield di-n-butyltin dihydride in each case. Reactions of excess tri-n-butyltin hydride, di-n-butyltin dihydride or di-n-butyltin chloride

  三Ñ与二-butyltin氢化物发生反应Ñ -butyltin二氟乙烯，二Ñ -butyltin二氯化物，二- Ñ -butyltin二溴化物，和二- Ñ -butyltin二碘化物在I：摩尔比，得到相应的二-正丁基卤化锡氢化物。与三后续反应Ñ -butyltin氢化收率二Ñ -butyltin二氢化在每种情况下。过量三-反应Ñ -butyltin氢化物，二- ñ -butyltin二氢化或二ñ -butyltin氯氢化物，分别用Ñ -butyltin三氯化给予Ñ -butyltin三氢化。当过量n将三氯化丁基锡与这三种氢化物中的每一种混合，生成新的，高度不稳定的有机锡氢化物，根据IR和NMR数据，该有机锡氢化物被认为是正丁基二氯化锡氢化物。在三氢化正丁基锡与三氯化正丁基锡的反应中获得相同的氢化物。在氢化物与三氯化正丁基锡的某些反应中，在预测的氯化正丁基锡二氢化物的位置处发现IR和NMR吸收。
• Di-n-butyltin halide hydrides
  作者：Albert K. Sawyer、Yoyce E. Brown、Earl L. Hanson

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)83576-7

  日期：1965.6

  this method di-n-butyltin fluoride hydride, di-n-butyltin chloride hydride, di-n-butyltin bromide hydride, and di-n-butyltin iodide hydride were prepared. Infrared and proton magnetic resonance spectra were obtained showing characteristic Sn-H stretching frequencies in the infrared and characteristic chemical shifts in the magnetic resonance spectra. Di-n-butyltin chloride hydride was shown to be formed

  二正丁基锡二氢化物与二正丁基锡二卤化物的反应导致形成二正丁基卤化锡氢化物。通过这种方法，二- ñ -butyltin氟氢化物，二- Ñ -butyltin氯氢化物，二- Ñ -butyltin溴氢化物，和二- Ñ -butyltin碘氢化物制备。获得的红外和质子磁共振谱显示出红外中特征性的Sn-H拉伸频率和磁共振谱中的特征性化学位移。二Ñ -butyltin氯氢化物显示出二的反应期间形成Ñ-丁基二氢化锡与盐酸的二恶烷溶液，酸/氢化物比例为1：1。二正丁基氯化锡氢化物在100°下热分解，主要得到氢和1,1,2,2-四正丁基二锡1,2-二氯化物。
• Some reactions of organotin compounds under γ-irradiation
  作者：P. Dunn、D. Oldfield

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)84967-0

  日期：1973.6

  Reaction of organotin compounds with pentafluorobenzene under the influence of γ-radiation produces organotin fluorides.

  有机锡化合物与五氟苯在γ辐射的影响下反应，生成有机锡氟化物。
• Conducting Thin Films Formed by Electron Bombardment of Substrate
  作者：R. W. Christy

  DOI：10.1063/1.1728851

  日期：1962.5

  A new technique for depositing thin films has been investigated. The method consists in decomposing molecules on a substrate by bombarding them with electrons, leaving metal atoms on the substrate. The film is formed selectively on the area of the substrate struck by the electrons. Stannous chloride was decomposed to metallic tin by electrons of about 200 ev energy. Tetrabutyltin was also studied.

  已经研究了一种用于沉积薄膜的新技术。该方法包括通过用电子轰击分子来分解基板上的分子，将金属原子留在基板上。该膜选择性地形成在被电子撞击的基板区域上。氯化亚锡被能量约为 200 ev 的电子分解为金属锡。还研究了四丁基锡。在现有的电流密度下，四丁基锡仅部分分解，形成半导体聚合物薄膜。理论考虑表明该方法应适用于多种金属。
• Synthesis and Molecular Structure of [n-Bu2(F)SnOSn(F)t-Bu2]2— an Unsymmetrically Substituted Tetraorganodistannoxane
  作者：Jens Beckmann、Dainis Dakternieks、Andrew Duthie、Klaus Jurkschat、Markus Schürmann

  DOI：10.1002/zaac.200390023

  日期：2003.1

  The dimeric tetraorganodistannoxane [n-Bu2(F)SnOSn(F)t-Bu2]2 (1) was prepared by the reaction of (t-Bu2SnO)3 with n-Bu2SnF2 and characterized in solution by multinuclear NMR spectroscopy and ESI MS spectrometry and in the solid state by 119Sn MAS NMR spectroscopy and single crystal X-ray diffraction. Synthese und Molekulstruktur von [n-Bu2(F)SnOSn(F)t-Bu2]2 — Ein unsymmetrisch substituiertes Tetraorganodistannoxan

  二聚四有机二锡氧烷 [n-Bu2 (F) SnOSn (F) t-Bu2] 2 (1) 是通过 (t-Bu2SnO) 3 与 n-Bu2SnF2 反应制备的，并通过多核 NMR 光谱和 ESI MS 光谱在溶液中表征并通过 119 Sn MAS NMR 光谱和单晶 X 射线衍射呈固态。[n-Bu2 (F) SnOSn (F) t-Bu2] 2 的合成和分子结构 - 一种不对称取代的四有机二锡氧烷二聚体四有机二锡氧烷 [n-Bu2 (F) SnOSn (F) t-Bu2] 2 (1) 被发现通过 (t-Bu2SnO) 3 与 n-Bu2SnF2 的反应显示。通过多核 NMR 光谱和电喷雾质谱在溶液中进行表征，并通过 119Sn-MAS-NMR 光谱和单晶 X 射线结构分析在固态下进行表征。