Tris(2-hydroxyethyl)sulfonium chloride | 869-51-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Tris(2-hydroxyethyl)sulfonium chloride
• 英文别名: Tris-(2-hydroxy-aethyl)-sulfonium; Chlorid；tris(2-hydroxyethyl)sulfanium;chloride
• CAS: 869-51-2
• 化学式: C₆H₁₅O₃S*Cl
• 分子量: 202.702
• InChiKey: LBOMXWMEUQWCNL-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.41
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  61.7
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Tris(2-hydroxyethyl)sulfonium chloride 在 氯化亚砜 作用下， 生成 三(2-氯乙基)锍氯化物
  参考文献：
  名称：

  Stahmann; Fruton; Bergmann, Journal of Organic Chemistry, 1946, vol. 11, p. 715

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  硫二甘醇 、 2-氯乙醇 在 水 作用下， 生成 Tris(2-hydroxyethyl)sulfonium chloride
  参考文献：
  名称：

  Davies; Oxford, Journal of the Chemical Society, 1931, p. 229

  摘要：

  DOI：

文献信息

• LUTTRINGHAUS; MACHATZKE, Arzneimittel-Forschung/Drug Research, 1963, vol. 13, p. 366 - 370
  作者：LUTTRINGHAUS、MACHATZKE

  DOI：——

  日期：——
• Luettringhaus et al., Arzneimittel-Forschung/Drug Research, 1959, vol. 9, p. 748,749, 752
  作者：Luettringhaus et al.

  DOI：——

  日期：——
• Sulphonium salts
  申请人：DOW CHEMICAL CO

  公开号：US02402016A1

  公开（公告）日：1946-06-11
• Ettel; Kohlik, Collection of Czechoslovak Chemical Communications, 1931, vol. 3, p. 592
  作者：Ettel、Kohlik

  DOI：——

  日期：——
• COMPOSITION AND METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE
  申请人：LEE Wai Mun

  公开号：US20120083436A1

  公开（公告）日：2012-04-05

  The present invention is directed to compositions and method of use for treating semiconductor substrate comprising a sulfonium compound and a nucleophilic amine in the fabrication of electronic devices. Optionally, the said composition further comprises a chelating agent, and solvent. The pH of the said solution can be adjusted with the addition of acid or base. The semiconductor manufacturing processes include steps for post etch residue, photoresist removal and steps during chemical mechanical planarization and post chemical mechanical planarization.