iron(III) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: iron(III) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionate
• 英文别名: Fe(dpm)₃；Iron(III)-dpm；iron(3+);(Z)-2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-en-3-olate
• 化学式: C₃₃H₅₇FeO₆
• 分子量: 605.659
• InChiKey: NXBJVTQWYMSPSJ-LWTKGLMZSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.67
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  120
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  iron(III) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionate 在 氧气 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 iron(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  Parametric investigation for direct chemical vapour deposition of magnetite films

  摘要：

  A direct growth of magnetite (Fe3O4) phase has been obtained by a low-pressure chemical vapour deposition (LPCVD) technique using metal-organic ferric dipivaloylmethanate (Fe(DPM)3) as precursor. On oxidation these films are converted to gamma-Fe2O3 phase which give superior magnetic coercivity values. Crystallographic structures are determined by small-angle XRD analysis. As-deposited magnetite and oxidized gamma-Fe2O3 films are reported with coercivity values of 93 and 122 kA/m, respectively. Squareness ratios of 0.80 are observed for both as-deposited Fe3O4 and oxidized gamma-Fe2O3 films with remanent magnetization values of 101 and 102 mT, respectively. Deposition conditions of the as-deposited films along with a growth mechanism involving a gas phase reaction, as promoted by a hot wall type reactor chamber, are described.

  DOI：

  10.1016/0304-8853(94)90068-x
• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 三氯化铁 在 CH₃COONa 作用下， 以 乙醇 、 水 为溶剂， 以95%的产率得到iron(III) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionate
  参考文献：
  名称：

  白磷催化合成磷酸三芳基酯

  摘要：

  在有氧条件下，在铁催化剂和碘的存在下，由白磷和酚类合成磷酸三芳基酯。在不使用氯的情况下实现了向磷酸盐的完全转化，并且反应不会产生酸废物。该方法高选择性合成了磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯和磷酸三(2,4-二叔丁基)苯酯。使用各种二酮酸铁 (III) 来催化转化。机理研究表明，反应通过形成 PI3 进行，然后在最终形成磷酸盐之前 O=PI(OPh)2。发现 O=PI(OPh)2 与苯酚的亲核取代形成 O=P(OPh)3 是限速步骤。

  DOI：

  10.1002/ejic.201100046
• 作为试剂：
  描述：

  4-碘代苯乙酮 、 N-Boc-4-亚甲基哌啶 在 N-甲基吡咯烷酮 、 锰 、 iron(III) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionate 、 NiBr2*diglyme 、 isopropoxy(phenyl)silane 、 manganese(IV) oxide 作用下， 以 1,2-二氯乙烷 为溶剂， 反应 17.5h， 以57%的产率得到tert-butyl 4-(4-acetylphenyl)-4-methylpiperidine-1-carboxylate
  参考文献：
  名称：

  铁镍双催化：烯烃功能化和四元中心形成的新引擎

  摘要：

  烯烃加氢芳基化在有机化学的两个基本构件（烯烃和芳环）之间形成碳-碳键。在没有电子偏压或导向基团的情况下，只有弗里德尔-克拉夫茨反应才允许芳烃以马尔可夫尼科夫选择性与烯烃接合以生成季碳。然而，碳阳离子的中间性阻碍了缺电子芳烃的使用，包括路易斯碱性杂环。在这里，我们报道了一种高度马尔可夫尼科夫选择性、双催化烯烃加氢芳基化，它可以容忍任何电子特征的芳烃和杂芳烃。氢原子转移控制支化产物的形成，芳烃卤化指定芳环上的连接点。单、二、三和四取代的烯烃产生马尔可夫尼科夫产物，包括非应变环内的季碳。

  DOI：

  10.1021/jacs.8b05868

文献信息

• Kinetics and mechanism of ligand substitution in β-diketone complexes of iron(III). Solvolysis controlling the substitution process in alcohol media
  作者：Gerhard Gumbel、Horst Elias

  DOI：10.1016/s0020-1693(02)01143-x

  日期：2003.1

  Abstract Conventional and stopped-flow spectrophotometry was used to study the kinetics of ligand substitution in a number of tris β-diketone iron(III) complexes, Fe(O ∩ O) 3 , by 8-hydroxyquinoline (=HO ∩ N) in alcohol media (O ∩ O − =anion of the β-diketones pentane-2,4-dione, 2,6-dimethylheptane-3,5-dione, 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione, 1-phenylbutane-1,3-dione, 1,3-diphenylpropane-2,3-dione

  摘要用常规分流光度法和分流光度法研究了酒精中的8-​​羟基喹啉（= HO∩N）在许多trisβ-二酮铁（III）配合物Fe（O∩O）3中的配体取代动力学。介质（O∩O-=β-二酮戊烷-2,4-二酮的阴离子，2,6-二甲基庚烷-3,5-二酮，2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮，1 -苯基丁烷-1，3-二酮，1，3-二苯基丙烷-2，3-二酮和1-（2-噻吩基）-4，4，4-三氟丁烷-1，3-二酮）。如分光光度法所示，络合物Fe（O∩O）3在醇ROH中的溶液会发生溶剂分解，从而形成溶剂型Fe（O∩O）2 S 2和双核络合物[Fe（O∩O）2 （RO）] 2（分别为S ＝ ROH和RO-）。Fe（O∩O）3与HO∩N在醇介质中的反应导致Fe（O∩N）3的反应是三次的。相应的一阶速率常数k 1，k 2和k 3与进入配体HO∩N的浓度无关，并且遵循k 1> k 2> k 3的顺序，其中k 1 /
• Growth of iron cobaltoxides by atomic layer deposition
  作者：Martin Lie、Karina Barnholt Klepper、Ola Nilsen、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus

  DOI：10.1039/b711718n

  日期：——

  Thin films of iron cobalt oxides with spinel-type structure are made by the atomic layer deposition (ALD) technique using Fe(thd)3 (Hthd = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione), Co(thd)2, and ozone as precursors. Pulse parameters for ALD-type growth are established and such growth can be achieved at deposition temperatures between 185 and 310 °C. Films have been deposited on amorphous soda-lime glass and single-crystalline substrates of Si(100), MgO(100), and α-Al2O3(001) which all provide crystalline films, but with various orientations and crystallite sizes. Application of an external magnetic field during the film growth does not influence film growth characteristics (growth rate, crystallinity, topography etc.). Magnetization data are reported for phase-pure films of spinel-type structure with composition Fe2CoO4.

  采用原子层沉积（ALD）技术，通过使用前驱体Fe(thd)3（Hthd = 2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮）、Co(thd)2和臭氧，制备了具有尖晶石结构的铁钴氧化物薄膜。建立了ALD型生长的脉冲参数，这种生长可以在185至310°C的沉积温度下实现。薄膜沉积在非晶钠钙玻璃和单晶基底上，如Si(100)、MgO(100)和α-Al2O3(001)，这些基底均提供了结晶薄膜，但具有不同的取向和晶粒大小。在薄膜生长过程中施加外部磁场对薄膜生长特性（生长速率、结晶性、表面形貌等）没有影响。对于组成Fe2CoO4的相纯薄膜，报告了其磁化数据。
• Syntheses, Structures, and Polymorphism of β-Diketonato Complexes – Co(thd)3
  作者：M. A. K. Ahmed、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus、Pascal D. C. Dietzel

  DOI：10.1002/zaac.200700462

  日期：2008.2

  CoII to CoIII, but also to degradation of some of the thd ligands and formation of a new mixed-ligand complex. Three pure-cultivated crystalline Co(thd)3 phases are reported: 1 (room-temperature phase), 2 (low-temperature phase), and 3 (metastable phase) and in addition there exists an amorphous Co(thd)3 phase (4) with approximate composition Co(thd)3·xH(thd); x = 0.06. Reaction of metal(II) oxides

  已经在空气和氧气气氛中研究了溶解在不同溶剂中的 Co(thd)2 的氧化。在氧气气氛中和在溶剂的沸点下，这种处理导致 CoII 氧化为 CoIII，但也会导致一些 thd 配体降解并形成新的混合配体复合物。报告了三种纯培养的结晶 Co(thd)3 相：1（室温相）、2（低温相）和 3（亚稳相），此外还存在无定形 Co(thd)3 相（ 4) 具有近似组成 Co(thd)3·xH(thd)；x = 0.06。在空气或 O2 气氛下，金属 (II) 氧化物（MO、M = Mn、Fe 和 Co）与 H(thd) 的反应是生成 M(thd)3 配合物的简单直接途径。根据单晶 X 射线衍射数据报告了 Co(thd)3 (1-3) 的结构测定。变体 1 在空间群中结晶，a = b = 18.8100(10), c = 18.815(2) A 在 295 K；R(wR2) = 0.180，空间群 C2/c
• Structure and Polymorphism of<i>M</i>(thd)₃(<i>M</i>= Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In)
  作者：Mohammed A. K. Ahmed、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus、David S. Wragg

  DOI：10.1002/zaac.201200478

  日期：2013.4

  between polymorphs are reported for M(thd)3, (M = Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In) [(thd)– = anion of H(thd) = C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-tetramethylheptane-3, 5-dione]. Fresh crystal-structure data are provided for monoclinic polymorphs of Al(thd)3, Ga(thd)3, and In(thd)3. Apart from adjustment of the M–Ok bond length, the structural characteristics of M(thd)3 complexes remain essentially unaffected by

  报告了 M(thd)3 的形成、晶体结构、多晶型和多晶型之间的转变，(M = Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ga 和 In) [(thd)– = H(thd) 的阴离子= C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-四甲基庚烷-3, 5-二酮]。为 Al(thd)3、Ga(thd)3 和 In(thd)3 的单斜多晶型物提供了新的晶体结构数据。除了调整 M-Ok 键长外，M(thd)3 配合物的结构特征基本上不受 M 变化的影响。 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 距离的分析支持这样一个观点： M–Ok–Ck–Ck–Ck–Ok– 环形成一个杂环单元，σ 和 π 对键有贡献。根据键价或键序方案的初步评估表明，对于 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 键，σ 键的强度大致相等，而与 Ok-Ck 和 Ck-Ck 键相比，M-Ok 键的 π 分量很小。M(thd)3 多晶型物出现的模式轮廓表
• Growth of La_1−xSr_xFeO₃thin films by atomic layer deposition
  作者：Martin Lie、Ola Nilsen、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus

  DOI：10.1039/b809974j

  日期：——

  Thin films of La1−xSrxFeO3 have been prepared by the ALD (atomic layer deposition) technique using La(thd)3 (Hthd = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione), Sr(thd)2, Fe(thd)3, and ozone as precursors. A so-called ALD window is found in the temperature range 200 to 360 °C for LaFeO3. The effect of the pulsing procedure for the precursors on the composition of the films is examined. The results are discussed in relation to a model which ascribes differences between pulsed and obtained stoichiometries to individually different surface-area demands of the precursors. The La1−xSrxFeO3 films turned out to contain only small amounts of carbonate impurities despite the fact that films prepared from Sr(thd)2 and ozone under the same conditions contains virtually pure SrCO3. Films of La1−xSrxFeO3 have been deposited on substrates of (amorphous) soda-lime glass and single crystals of Si(100), SrTiO3(100), and LaAlO3(012). Annealed films on soda-lime glass and Si(100) substrates turned out to be polycrystalline with virtually random orientation of the crystallites. Those on MgO(100) and SrTiO3(100) substrates showed some degree of crystal orientation, whereas the annealed films on LaAlO3(012) proved to contain distinctly oriented crystallites with mosaic features.

  薄膜La1-xSrxFeO3是通过原子层沉积（ALD）技术制备的，使用的前驱体包括La(thd)3（Hthd = 2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮）、Sr(thd)2、Fe(thd)3和臭氧。在200到360°C的温度范围内发现了所谓的ALD窗口。研究了前驱体脉冲程序对薄膜成分的影响。结果与一个模型进行了讨论，该模型将脉冲和获得的化学计量比之间的差异归因于前驱体对表面积的不同需求。尽管在相同条件下由Sr(thd)2和臭氧制备的薄膜几乎纯净为SrCO3，但La1-xSrxFeO3薄膜发现仅含少量碳酸盐杂质。La1-xSrxFeO3膜已在（无定形）钠钙玻璃和Si(100)、SrTiO3(100)及LaAlO3(012)的单晶基底上沉积。钠钙玻璃和Si(100)基底上的退火薄膜被发现是多晶的，晶粒呈几乎随机取向。而在MgO(100)和 (100)基底上的薄膜则显示出一定程度的晶体取向，而在LaAlO3(012)上的退火薄膜则含有具有明显取向特征的晶粒。