2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole | 853793-55-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吲哚及其衍生物
• 英文名称: 2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole
• CAS: 853793-55-2
• 化学式: C₄₂H₅₈Cl₂N₂
• 分子量: 661.842
• InChiKey: CMVSPHCCEQTKNZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  754.8±60.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.09±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  17
• 重原子数：
  46
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  9.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,8-dichloroindolo[3,2-b]carbazole 、 溴代十二烷 在 sodium hydroxide 、 苄基三乙基氯化铵 作用下， 以 水 、 二甲基亚砜 为溶剂， 反应 5.0h， 以88%的产率得到2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole
  参考文献：
  名称：

  SUBSTITUTED INDOLOCARBAZOLES

  摘要：

  一种含有至少一个可选择取代的噻吩基团的取代吲哚吡喃。

  公开号：

  US20090036689A1
• 作为试剂：
  描述：

  sodium hydroxide 、 2,8-dichloroindolo[3,2-b]carbazole 、 溴代十二烷 、 、 甲醇 在 苄基三乙基氯化铵 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 甲醇 、 丙酮 、 2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole 作用下， 以 二甲基亚砜 为溶剂， 反应 5.0h， 以yielding 1.16 g (88.0%) of 2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole, compound (3)的产率得到2,8-dichloro-5,11-didodecylindolo[3,2-b]carbazole
  参考文献：
  名称：

  SUBSTITUTED INDOLOCARBAZOLES

  摘要：

  一种取代的吲哚咔唑，包括至少一种可选取代的噻吩基。

  公开号：

  US20140088313A1

文献信息

• Polyindolo[3,2-<i>b</i>]carbazoles:  A New Class of p-Channel Semiconductor Polymers for Organic Thin-Film Transistors
  作者：Yuning Li、Yiliang Wu、Beng S. Ong

  DOI：10.1021/ma0612069

  日期：2006.9.1

  The synthesis and field-effect transistor (FET) properties of a novel class of indolocarbazole-based conjugated polymers, poly(indolo[3,2-b]carbazole)s, are described. Dehalogenative coupling polymerization of dichloroindolo[3,2-b]carbazoles with Zn/NiCl2/PPh3/2.2‘-dipyridil gave the corresponding poly(indolo[3,2-b]carbazole)s, while oxidative coupling polymerization of indolo[3,2-b]carbazoles with

  描述了新型的基于吲哚并咔唑的共轭聚合物聚（吲哚并[3,2- b ]咔唑）的合成和场效应晶体管（FET）特性。dichloroindolo [3,2-的Dehalogenative偶联聚合b ]咔唑用Zn /的NiCl 2 / PPH 3 /2.2'-dipyridil得到相应的聚（吲哚并[3,2- b ]咔唑）类，而氧化偶联聚合吲哚并[ 3,2- b ]咔唑与FeCl 3进行区域选择性反应，得到聚（吲哚[3,2- b]咔唑-2,8-二基）s。这些聚合物的结晶和光学性质是不同的，具体取决于主链连接和外围取代的区域化学。使用这些聚合物半导体的薄膜晶体管器件表现出p沟道FET行为，主要由取代和骨架​​键（2,8-或3,9-键）的性质决定。由FeCl 3聚合获得的溶液处理的聚吲哚并[3,2- b ]咔唑薄膜半导体通常具有更好的FET性能。
• Thin film transistors including indolocarbazoles
  申请人：Wu Yiliang

  公开号：US20060124923A1

  公开（公告）日：2006-06-15

  A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

  一种薄膜晶体管，包括半导体层，其中包括可选替代的吲哚并咔唑。
• Thin film transistors including indolocarbozoles
  申请人：Xerox Corporation

  公开号：US07456424B2

  公开（公告）日：2008-11-25

  A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

  一种薄膜晶体管，包括一个半导体层，其中包括一个可选替代的吲哚并[3,2-b]咔唑。
• Substituted indolocarbazoles
  申请人：Xerox Corporation

  公开号：US08110690B2

  公开（公告）日：2012-02-07

  A substituted indolocarbazole comprising at least one optionally substituted thienyl.

  一种取代的吲哚咔唑，包括至少一个可选择取代的噻吩基。
• US7173140B2
  申请人：——

  公开号：US7173140B2

  公开（公告）日：2007-02-06