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2-N-(2-hydroxy-1-methylethylimino)-4-pentanone | 185341-36-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-N-(2-hydroxy-1-methylethylimino)-4-pentanone
英文别名
4-[(1-Hydroxypropan-2-yl)amino]pent-3-en-2-one;4-(1-hydroxypropan-2-ylamino)pent-3-en-2-one
2-N-(2-hydroxy-1-methylethylimino)-4-pentanone化学式
CAS
185341-36-0
化学式
C8H15NO2
mdl
——
分子量
157.213
InChiKey
HGIRQUORUZWLDJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.8
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.62
  • 拓扑面积:
    49.3
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-N-(2-hydroxy-1-methylethylimino)-4-pentanonetitanium(IV) isopropylate 作用下, 以92%的产率得到titanium bis[4-(1-methylethoxy)imino-2-pentanoate]
    参考文献:
    名称:
    Novel group IV metal precursors and chemical vapor deposition method using thereof
    摘要:
    本文揭示了一种有机金属前体,其化学式为M(L)2,用于形成金属氧化物薄膜,其中M是具有+4电荷的四价IV族金属离子,L是具有-2电荷的三牙配体,该配体由以下化学式(I)表示:其中R1和R2中的每一个独立地是线性或支链的C1~8烷基基团;R3是线性或支链的C1~8亚烷基基团。此外,还揭示了一种化学气相沉积方法,其中使用该有机金属前体在基底上形成金属氧化物薄膜。该前体具有出色的挥发性、热性能和水解稳定性。该前体特别适用于沉积含有IV族金属(如钛)的多组分金属氧化物薄膜。
    公开号:
    EP1184365A3
  • 作为产物:
    描述:
    DL-氨基丙醇乙酰丙酮甲酸 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 反应 24.0h, 以89%的产率得到2-N-(2-hydroxy-1-methylethylimino)-4-pentanone
    参考文献:
    名称:
    Novel group IV metal precursors and chemical vapor deposition method using thereof
    摘要:
    本文揭示了一种有机金属前体,其化学式为M(L)2,用于形成金属氧化物薄膜,其中M是具有+4电荷的四价IV族金属离子,L是具有-2电荷的三牙配体,该配体由以下化学式(I)表示:其中R1和R2中的每一个独立地是线性或支链的C1~8烷基基团;R3是线性或支链的C1~8亚烷基基团。此外,还揭示了一种化学气相沉积方法,其中使用该有机金属前体在基底上形成金属氧化物薄膜。该前体具有出色的挥发性、热性能和水解稳定性。该前体特别适用于沉积含有IV族金属(如钛)的多组分金属氧化物薄膜。
    公开号:
    EP1184365A3
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文献信息

  • A study on the development of CVD precursors V – syntheses and characterization of new N-alkoxy-β-ketoiminate complexes of titanium
    作者:Sunkwon Lim、Bohyun Choi、Yo-sep Min、Daesig Kim、Il Yoon、Shim Sung Lee、Ik-Mo Lee
    DOI:10.1016/j.jorganchem.2003.10.008
    日期:2004.1
    The synthesis and characterization of various new titanium N-alkoxy-beta-ketoiminate complexes are reported. Reactions between N-alkoxy-beta-ketoimine ligands and Ti(O-iPr)4 resulted in dimeric [Ti(O-iPr)(2)(N-alkoxy-beta-ketoiminate)](2) complexes or monomeric [Ti(N-alkoxy-beta-ketoiniinate)(2)] ones depending on the amount of ligands. Terdentate N-alkoxy-beta-ketoiminate ligands do not prevent dimer complexes from undergoing disproportional rearrangement to produce Ti(O-iPr)(4) and [Ti(N-alkoxy-beta-ketoiminate)(2)]. The mechanism of this behavior is too complicated but it may include the dissociation and recoordination of ligands. Crystal structures of [Ti(N-alkoxy-beta-ketoiminate)(2)] (MeC(O)CHC(Me)NC(Et)CH2O (3f) and t-BuC(O)CHC(Me)NCH2CH(Me)O (3k)) show that these are distorted octahedron and beta-ketoiminate ligands appear to coordinate as a beta-imino enolate. Two terdentate beta-ketoiminate ligands coordinate meridionally and they are perpendicular to each other. Thermal characteristics of monomeric and dimeric titanium complexes were determined by TGA and DSC and these are reasonably volatile as potential precursors of TiO2 thin films. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
  • Novel group IV metal precursors and chemical vapor deposition method using thereof
    申请人:SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
    公开号:EP1184365A3
    公开(公告)日:2003-08-06
    Disclosed herein is an organometallic precursor of a formula M(L)2 for use in formation of metal oxide thin films, in which M is a group IV metal ion having a charge of +4 and L is a tridentate ligand having a charge of -2, the ligand being represented by the following formula (I): wherein each of R1 and R2, independently, is a linear or branched C1~8 alkyl group; and R3 is a linear or branched C1~8 alkylene group. Also, there is disclosed a chemical vapor deposition method which comprises forming a metal oxide thin film on a substrate using the organometallic precursor. The precursor exhibits excellent volatility, thermal property and hydrolytic stability. The precursor is particularly suitable for the deposition of a multi-component metal oxide thin film containing a group IV metal such as titanium.
    本文揭示了一种有机金属前体,其化学式为M(L)2,用于形成金属氧化物薄膜,其中M是具有+4电荷的四价IV族金属离子,L是具有-2电荷的三牙配体,该配体由以下化学式(I)表示:其中R1和R2中的每一个独立地是线性或支链的C1~8烷基基团;R3是线性或支链的C1~8亚烷基基团。此外,还揭示了一种化学气相沉积方法,其中使用该有机金属前体在基底上形成金属氧化物薄膜。该前体具有出色的挥发性、热性能和水解稳定性。该前体特别适用于沉积含有IV族金属(如钛)的多组分金属氧化物薄膜。
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