3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]1,1,1-trifluoro-2-propanol | 404-07-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 卤代醇
• 英文名称: 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]1,1,1-trifluoro-2-propanol
• 英文别名: 3-[bis-(2-hydroxy-ethyl)-amino]-1,1,1-trifluoro-propan-2-ol；3-[Bis(2-hydroxyethyl)amino]-1,1,1-trifluoropropan-2-ol
• CAS: 404-07-9
• 化学式: C₇H₁₄F₃NO₃
• 分子量: 217.188
• InChiKey: ZDAYXNBIGYQICZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.6
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  63.9
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  7

安全信息

• 海关编码：
  2922199090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  甲基三乙氧基硅烷 、 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]1,1,1-trifluoro-2-propanol 在 sodium methylate 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 生成 1-methyl 3-(trifluoromethyl)-2,8,9-trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3,3.3]undecane
  参考文献：
  名称：

  Voronkov,M.G. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1978, vol. 48, p. 2033 - 2038

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1,1,1-三氟-2,3-环氧丙烷 、 二乙醇胺 生成 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]1,1,1-trifluoro-2-propanol
  参考文献：
  名称：

  Voronkov,M.G. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1978, vol. 48, p. 2033 - 2038

  摘要：

  DOI：

文献信息

• ETCHANT COMPOSITION, METHOD OF ETCHING INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILANE COMPOUND
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US20190359887A1

  公开（公告）日：2019-11-28

  An etchant composition includes a silane compound represented by the following Chemical Formula 1: wherein R 1 to R 6 are independently hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hydrocarbyl group, a phenyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a nitro group, a tri (C 1 -C 20 ) alkylsilyl group, a phosphoryl group, or a cyano group, L is a direct bond or C 1 -C 3 hydrocarbylene, A is an n-valent radical, and n is an integer of 1 to 4.

  一种蚀刻组合物包括以下化学式1所代表的硅烷化合物：其中R1至R6独立地表示氢、卤素、取代或未取代的C1-C20烃基、苯基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20)烷基硅基、磷酰基或氰基，L是直接键或C1-C3烃基亚基，A是n价基团，n为1至4的整数。
• Etchant composition, method of etching insulating film, method of manufacturing semiconductor device, and silane compound
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US10836962B2

  公开（公告）日：2020-11-17

  An etchant composition includes a silane compound represented by the following Chemical Formula 1: wherein R1 to R6 are independently hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted C1-C20 hydrocarbyl group, a phenyl group, a C1-C20 alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a nitro group, a tri (C1-C20)alkylsilyl group, a phosphoryl group, or a cyano group, L is a direct bond or C1-C3 hydrocarbylene, A is an n-valent radical, and n is an integer of 1 to 4.

  蚀刻剂组合物包括由以下化学式 1 表示的硅烷化合物： 其中 R1 至 R6 独立地为氢、卤素、取代或未取代的 C1-C20 碳氢基、苯基、C1-C20 烷氧基、羧基、羰基、硝基、三（C1-C20）烷基硅基、磷酰基或氰基，L 为直接键或 C1-C3 碳氢基，A 为正价基，n 为 1 至 4 的整数。
• Silane compound
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US11365350B2

  公开（公告）日：2022-06-21

  An etchant composition includes a silane compound represented by the following Chemical Formula 1: wherein R1 to R6 are independently hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted C1-C20 hydrocarbyl group, a phenyl group, a C1-C20 alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a nitro group, a tri (C1-C20) alkylsilyl group, a phosphoryl group, or a cyano group, L is a direct bond or C1-C3 hydrocarbylene, A is an n-valent radical, and n is an integer of 1 to 4.

  蚀刻剂组合物包括由以下化学式 1 表示的硅烷化合物： 其中 R1 至 R6 独立地为氢、卤素、取代或未取代的 C1-C20 碳氢基、苯基、C1-C20 烷氧基、羧基、羰基、硝基、三（C1-C20）烷基硅基、磷酰基或氰基，L 为直接键或 C1-C3 碳氢基，A 为正价基，n 为 1 至 4 的整数。
• Voronkov,M.G. et al., Collection of Czechoslovak Chemical Communications, 1977, vol. 42, p. 480 - 483
  作者：Voronkov,M.G. et al.

  DOI：——

  日期：——
• SILANE COMPOUND
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US20200377794A1

  公开（公告）日：2020-12-03

  An etchant composition includes a silane compound represented by the following Chemical Formula 1: wherein R 1 to R 6 are independently hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hydrocarbyl group, a phenyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a nitro group, a tri(C 1 -C 20 ) alkylsilyl group, a phosphoryl group, or a cyano group, L is a direct bond or C 1 -C 3 hydrocarbylene, A is an n-valent radical, and n is an integer of 1 to 4.