3,4,5-三甲基-4-庚醇 | 60836-08-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 中文名称: 3,4,5-三甲基-4-庚醇
• 英文名称: 3,4,5-trimethyl-4-heptanol
• 英文别名: 3,4,5-trimethylheptan-4-ol；3,5,7-trimethylnonan-5-ol；3,4,5-trimethyl-heptan-4-ol；Di-sec-butyl-methylcarbinol
• CAS: 60836-08-0
• 化学式: C₁₀H₂₂O
• 分子量: 158.284
• InChiKey: HTUFXQFRZKIOBH-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  187.9±8.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.824±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.2
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2-溴丁烷 、 乙酸乙酯 在 magnesium 、 copper(II) oxide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.0h， 以51%的产率得到3,4,5-三甲基-4-庚醇
  参考文献：
  名称：

  一种简单有效的氧化铜催化未活化的芳基或烷基溴化物与酯的Barbier-Grignard反应

  摘要：

  已经开发并系统地研究了一种有效的一锅法，该方法通过使用未活化的烷基或芳基溴化物与酯在65°C的THF中的酯进行Barbier-Grignard反应，来合成叔醇化合物。以良好或高收率获得了各种各样的取代叔醇化合物。该反应是高度化学选择性的。涉及R的离去基团的机构2 ö -基团进行了讨论。

  DOI：

  10.1016/j.tetlet.2013.12.042

文献信息

• The reaction of α-methoxyvinyllithium with trialkylboranes
  作者：Alan B. Levy、Steven J. Schwartz、Nancy Wilson、Bradley Christie

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)84870-6

  日期：1978.8

  Several alkenyltrialkylborate salts derived from the reaction of α-methoxyvinyllithium (MVL) with trialkylboranes have been prepared. At −80°C, the initial complex is stable as indicated by its iodination to give moderate yields of enol ethers. Warming the complex to room temperature leads via an alkyl group migration to a new alkenyldialkylmethoxyborate salt. Oxidation of this complex leads to methyl

  已经制备了几种衍生自α-甲氧基乙烯基锂（MVL）与三烷基硼烷的反应的烯基三烷基硼酸盐。初始络合物在-80°C下稳定，如其碘化所示，得到适量的烯醇醚。将络合物温热至室温导致经由烷基迁移至新的烯基二烷基甲氧基硼酸盐。该络合物的氧化产生甲基酮。或者，在氧化之前用各种亲电试剂，例如酸，碘或烷基化剂处理该盐，分别导致甲基二烷基甲醇，1，1-二烷基乙烯和受阻叔醇。可以通过亲电攻击烯基硼酸盐的β碳来合理化产物。这些盐的显着亲核性似乎可以与烯胺类相媲美。
• COMPOSITION FOR FORMATION OF RESIST UNDERLAYER FILM
  申请人：Sakamoto Rikimaru

  公开号：US20120251955A1

  公开（公告）日：2012-10-04

  There is provided a composition for forming a resist underlayer film for electron beam or EUV lithography that is used in a device manufacture process using EUV lithography, reduces the adverse effects caused by an electron beam or EUV, and is effective for the formation of a good resist pattern and a resist pattern formation method using the composition for forming a resist underlayer film for lithography. A composition for forming a resist underlayer film for electron beam or EUV lithography, comprising: a polymer having a repeating unit structure of Formula (1): [where Q is a group of Formula (2) or Formula (3): where Q 1 is a C 1-10 alkylene group, a phenylene group, a naphthylene group, or an anthrylene group, X 1 is a group of Formula (4), Formula (5), or Formula (6): and a solvent.
• US4111917A
  申请人：——

  公开号：US4111917A

  公开（公告）日：1978-09-05