3-乙基-3-庚醇 | 19780-42-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 中文名称: 3-乙基-3-庚醇
• 英文名称: 3-ethyl-heptan-4-ol
• 英文别名: 3-Aethyl-heptan-4-ol；3-Ethyl-4-heptanol；3-ethylheptan-4-ol
• CAS: 19780-42-8
• 化学式: C₉H₂₀O
• 分子量: 144.257
• InChiKey: TVEJPDXJKNOLDQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  189.1±8.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.822±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

安全信息

• 海关编码：
  2905199090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-乙基-3-庚醇 在 降冰片烯 、 (1,5-cyclooctadiene)(methoxy)iridium(I) dimer 、 2,3,4,6,7,9,10,11-octahydropyrazino[1,2-a:4,3-a']bipyrimidine 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 16.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  铱催化的仲醇和酮中仲 C（sp3）–H 键的位点选择性硅烷化

  摘要：

  我们报道了铱催化的立体选择性转化，通过次级 C-H 键与氧γ硅烷化和所得恶氮环的氧化，仲醇或酮体向抗 1,3-二醇的立体选择性转化。醇或酮衍生的仲甲硅烷基醚中次级 C-H 键的硅烷基化是通过由简单的比沙脒配体形成的催化剂实现的。硅烷基化在与氧γ的次级 C-H 键处以高选择性发生，超过远端初级或近端次级 C-H 键。初步机理研究表明，新实现的反应性来源是强电子供体比沙脒配体的高结合常数导致的较长催化剂寿命。

  DOI：

  10.1021/jacs.3c03127
• 作为产物：
  描述：

  3-乙基-4-庚酮 在 乙醇 、 sodium 作用下， 生成 3-乙基-3-庚醇
  参考文献：
  名称：

  Zerner, Monatshefte fur Chemie, 1911, vol. 32, p. 683

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] PROCESS<br/>[FR] PROCÉDÉ
  申请人：PHOSPHAGENICS LTD

  公开号：WO2018112512A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  An efficient and commercial phosphorylation process of a complex alcohol, such as secondary and tertiary alcohols, with P4O10 at high temperatures, and a product obtained by the process.

  一种高效商业化的磷酸酯化过程，用于复杂醇类（如二级和三级醇），在高温下使用P4O10，以及该过程得到的产品。
• Zerner, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1911, vol. 152, p. 1599
  作者：Zerner

  DOI：——

  日期：——
• PROCESS
  申请人：Avecho Biotechnology Limited

  公开号：EP3558903A1

  公开（公告）日：2019-10-30
• MONOMER FOR FORMING ORGANIC ANTI-REFLECTIVE COATING LAYER, POLYMER THEREOF AND COMPOSITION INCLUDING THE SAME
  申请人：KIM Sang-Jeoung

  公开号：US20080131815A1

  公开（公告）日：2008-06-05

  A monomer for forming an organic anti-reflective coating layer, a polymer thereof and a composition including the same are disclosed. In a photolithography process, the organic anti-reflective coating layer absorbs an exposed light between a layer to be etched and a photoresist layer, and prevents a photoresist pattern from collapsing due to a standing wave generated under the photoresist layer. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer includes a repeating unit represented by Formula wherein, R 1 is a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R 2 is a C 1 ˜C 20 alkylene group, a C 3 ˜C 20 cycloalkylene group or a C 6 ˜C 20 aromatic hydrocarbon group, POSS is a polyhedral-oligomeric-silsesquioxane, and m is an integer of 2 to 110.
• POLYMER FOR FORMING ORGANIC ANTI-REFLECTIVE COATING LAYER
  申请人：Kim Hyun-Jin

  公开号：US20100266967A1

  公开（公告）日：2010-10-21

  A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer, which is soluble in alkali solutions so that an additional etching process of anti-reflective coating layer is not required, and a composition including the same are disclosed. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer has the following formula. Wherein, R 1 is a hydrogen atom (H) or a methyl group (—CH 3 ), R 2 is a sulfur atom (S) or an oxygen atom (O), R 3 is a group containing 1 to 20 carbon atoms and a terminal hydroxyl group, R 4 is an alkylene group or a cycloalkylene group, and if necessary, a hetero atom is contained therein, and a, b and c independently represent weight % of repeating units constituting the polymer, and are 1 to 98 weight %, 1 to 98 weight %, and 1 to 98 weight %, respectively.

表征谱图