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5-bromo-5'-((E)-2-pyren-1-ylvinyl)bithiophene | 905457-07-0

中文名称
——
中文别名
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英文名称
5-bromo-5'-((E)-2-pyren-1-ylvinyl)bithiophene
英文别名
——
5-bromo-5'-((E)-2-pyren-1-ylvinyl)bithiophene化学式
CAS
905457-07-0
化学式
C26H15BrS2
mdl
——
分子量
471.441
InChiKey
QYYSJEOWSJJBES-CSKARUKUSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.31
  • 重原子数:
    29.0
  • 可旋转键数:
    3.0
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    2.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    5-bromo-5'-((E)-2-pyren-1-ylvinyl)bithiophene(1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene)palladium(II) dichloridepotassium acetatesodium carbonate 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 2.0h, 生成 5,5'''-bis((E)-2-pyren-1-ylvinyl)quaterthiophene
    参考文献:
    名称:
    Synthesis and thin film electronic properties of two pyrene-substituted oligothiophene derivatives
    摘要:
    本文描述了两种新的芘端基取代的噻吩衍生物(Py-nT,n = 2,4)的合成和电性质。在基于六甲基二硅氮烷处理过的SiO2/Si衬底的场效应晶体管中,作为活性层的Py-4T真空蒸发薄膜获得了最高的空穴迁移率(约10−3 cm2 V−1 s−1)。此外,Py-nT薄膜掺杂了分子碘,导致电导率提高了106倍。在Py-4T的情况下,在碘蒸气中暴露21分钟后,获得了1 S cm−1的值。
    DOI:
    10.1039/b601870j
  • 作为产物:
    描述:
    1-pyrenylmethyltriphenylphosphonium bromide5-溴-2,2'-联噻吩-5'-甲醛potassium tert-butylate 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 1.0h, 以75%的产率得到5-bromo-5'-((E)-2-pyren-1-ylvinyl)bithiophene
    参考文献:
    名称:
    Synthesis and thin film electronic properties of two pyrene-substituted oligothiophene derivatives
    摘要:
    本文描述了两种新的芘端基取代的噻吩衍生物(Py-nT,n = 2,4)的合成和电性质。在基于六甲基二硅氮烷处理过的SiO2/Si衬底的场效应晶体管中,作为活性层的Py-4T真空蒸发薄膜获得了最高的空穴迁移率(约10−3 cm2 V−1 s−1)。此外,Py-nT薄膜掺杂了分子碘,导致电导率提高了106倍。在Py-4T的情况下,在碘蒸气中暴露21分钟后,获得了1 S cm−1的值。
    DOI:
    10.1039/b601870j
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