Tributyl-(10'-tributylstannylspiro[1,3-dioxolane-2,7'-3,11-dithia-5,9-diazatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene]-4'-yl)stannane | 1160067-15-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Tributyl-(10'-tributylstannylspiro[1,3-dioxolane-2,7'-3,11-dithia-5,9-diazatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene]-4'-yl)stannane
• CAS: 1160067-15-1
• 化学式: C₃₃H₅₈N₂O₂S₂Sn₂
• 分子量: 816.388
• InChiKey: XXUSOXZCPUOGQE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.94
• 重原子数：
  41
• 可旋转键数：
  20
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.82
• 拓扑面积：
  101
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4'-溴-2,2,2-三氟苯乙酮 、 Tributyl-(10'-tributylstannylspiro[1,3-dioxolane-2,7'-3,11-dithia-5,9-diazatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene]-4'-yl)stannane 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 13.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  EP2223918

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  Spiro[1,3-dioxolane-2,7'-3,11-dithia-5,9-diazatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene] 、 三丁基氯化锡 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 0.5h， 以75%的产率得到Tributyl-(10'-tributylstannylspiro[1,3-dioxolane-2,7'-3,11-dithia-5,9-diazatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene]-4'-yl)stannane
  参考文献：
  名称：

  EP2223918

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Solution-Processable n-Type Organic Field-Effect Transistor (OFET) Materials Based on Carbonyl-Bridged Bithiazole and Dioxocyclopentene-Annelated Thiophenes
  作者：Masashi Nitani、Yutaka Ie、Hirokazu Tada、Yoshio Aso

  DOI：10.1002/asia.201100098

  日期：2011.9.5

  A series of electronegative π‐conjugated compounds composed of carbonyl‐bridged bithiazole and alkyl‐substituted dioxocyclopenta[b]thiophene were synthesized as a candidate for solution‐processable n‐type organic semiconductor materials and characterized on the basis of photophysical and electrochemical properties. Cyclic voltammetry measurements showed that the first half‐wave reduction potentials

  由羰基桥联的噻唑和烷基取代的二氧代环戊基组成的一系列带负电的π共轭化合物[ b合成]噻吩作为可溶液处理的n型有机半导体材料的候选物，并基于光物理和电化学性质对其进行了表征。循环伏安法测量表明，相对于二茂铁/二茂铁，这些化合物的前半波还原电势在-0.97和-1.14 V之间，这对应于在-3.83和-3.66 eV之间的最低未占据分子轨道能级。由于分子中具有己基或十二烷基，因此这些化合物具有足够的可溶性，可以通过旋涂法制备薄膜。结果，基于这些新开发的化合物制备的有机场效应晶体管不仅在真空下而且在空气中都表现出n沟道特性，2  V -1  s -1，开/关比为10 8，阈值电压为16V。
• WO2023/106405
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• EP2223918
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