将基态有效旋转常数和力场数据组合起来,以计算平均值(r(z))和近似平衡(r(e)(z))结构。对于
HGeBr r(e)(z)(GeH)= 1.593(9)A,r(e)(z)(GeBr)= 2.325(21)A,键角固定为CC
SD(T)/ aug -cc-pVTZ的从头算值是93.6度。对于
HGeI,我们获得了r(e)(z)(GeH)= 1.589(1)A,r(e)(z)(GeI)= 2.525(5)A和键角= 93.2度。使用从头开始的笛卡尔位移坐标对发射光谱进行Franck-Condon模拟,可以令人满意地重现观察到的强度分布。基于卤素取代基的电负性,可以容易地理解卤代亚甲基和卤代亚甲
硅烷基中的结构参数的趋势。结合角固定在我们的CC
SD(T)/ aug-cc-pVTZ从头算值93.6度。对于
HGeI,我们获得了r(e)(z)(GeH)= 1.589(1)A,r(e)(z)(GeI)= 2