bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane | 127808-37-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane
• 英文别名: Trifluoromethylsulfonyloxysilyl trifluoromethanesulfonate
• CAS: 127808-37-1
• 化学式: C₂H₂F₆O₆S₂Si
• 分子量: 328.242
• InChiKey: MUQKXSDSYIJFGF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  187.0±50.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.28
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  104
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane 、 1,3-双(2,6-二异丙基苯基)咪唑-2-烯 以 甲苯 为溶剂， 以0.9 g的产率得到
  参考文献：
  名称：

  N-杂环卡宾与 H2SiX2 (X = Cl, OTf) 和 H3SiOTf (OTf = OSO2CF3) 的配位：合成具有四配位和五配位硅原子的供体稳定的母硅盐

  摘要：

  N-杂环卡宾 (NHC) 1,3-双 (2,6-二异丙基苯基) 咪唑-2-亚基对二氯硅烷 H2SiCl2、双 (三氟甲磺酸根) 硅烷 H2Si (OTf) 2 (OTf = OSO2CF3) 和甲硅烷基的反应性已经研究了三氟甲磺酸盐 H3SiOTf。结果表明，NHC配体的配位可以逐步形成三种中性化合物（NHC）SiH2Cl2（1）、（NHC）2SiH2Cl2（2）、（NHC）SiH2（OTf）2（3），以及两个离子对 [(NHC) SiH3] + (OTf-) (4) 和 [(NHC) 2SiH3] + (OTf-) (5)；后者代表母体甲硅烷基阳离子 (H3Si +) 的第一个 NHC 加合物。产物的多核核磁共振和红外光谱数据反映了四、五、六配位硅烷配合物的特性。

  DOI：

  10.5560/znb.2013-3057
• 作为产物：
  描述：

  三氟甲磺酸 在 二苯基硅烷 作用下， 反应 0.17h， 生成 bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane
  参考文献：
  名称：

  N-杂环卡宾与 H2SiX2 (X = Cl, OTf) 和 H3SiOTf (OTf = OSO2CF3) 的配位：合成具有四配位和五配位硅原子的供体稳定的母硅盐

  摘要：

  N-杂环卡宾 (NHC) 1,3-双 (2,6-二异丙基苯基) 咪唑-2-亚基对二氯硅烷 H2SiCl2、双 (三氟甲磺酸根) 硅烷 H2Si (OTf) 2 (OTf = OSO2CF3) 和甲硅烷基的反应性已经研究了三氟甲磺酸盐 H3SiOTf。结果表明，NHC配体的配位可以逐步形成三种中性化合物（NHC）SiH2Cl2（1）、（NHC）2SiH2Cl2（2）、（NHC）SiH2（OTf）2（3），以及两个离子对 [(NHC) SiH3] + (OTf-) (4) 和 [(NHC) 2SiH3] + (OTf-) (5)；后者代表母体甲硅烷基阳离子 (H3Si +) 的第一个 NHC 加合物。产物的多核核磁共振和红外光谱数据反映了四、五、六配位硅烷配合物的特性。

  DOI：

  10.5560/znb.2013-3057
• 作为试剂：
  描述：

  tris(trimethylsilyl)silyllithium 在 bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲苯 为溶剂， 以19%的产率得到bis[tris(trimethylsilyl)silyl]silane
  参考文献：
  名称：

  Geminal bis(hypersilyl) compounds — the synthesis and structure of bis[tris(trimethylsilyl)silyl]silanes

  摘要：

  Protodesilylation of diphenylsilane with trifluoromethanesulfonic acid and subsequent reaction of the obtained bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane with tris(trimethylsilyl)silyllithium (1) (molar ratio 1:2) afforded bis[tris(trimethylsilyl)silyl]silane (8). Methyl-bis[tris(trimethylsilyl)silyl]silane (3) and phenyl-bis[tris(trimethylsilyl)silyl]silane (10) were obtained by coupling reactions of 1 with MeHSiCl2 or PhHSiCl2, respectively, (2:1). By treatment with HCBr3, the H-silanes 3, 8, and10 were converted into the bromosilanes [(Me3Si)(3)Si](2)(SiRR2)-R-1 (9: R-1 = R-2 = Br; 11: R-1 = Me, R-2 = Br; 12: R-1 = Ph, R-2 = Br). X-ray crystal structure analyses, performed for 3, 10 and 12, confirmed the expected distortions of the molecular skeletons of the compounds. Thus, e.g., in 10, the spatial demand of the two extended hemispherical hypersilyl groups forces a widening of the Si-Si-Si angle at the central Si atom to a value of 128.3%.

  DOI：

  10.1139/cjc-78-11-1399

文献信息

• Silicon Tetrakis(trifluoromethanesulfonate): A Simple Neutral Silane Acting as a Soft and Hard Lewis Superacid
  作者：André Hermannsdorfer、Matthias Driess

  DOI：10.1002/anie.202103414

  日期：2021.6.7

  leads to [L2Si(OTf)4] complexes (L=isocyanide, thioether and carbonyl compounds) with retention of all Si−OTf bonds. In contrast, it can cleave C−X bonds (X=F, Cl) of hard organic Lewis bases with a high tendency to form SiX4 (X=F, Cl) after halide/triflate exchange. Most notable, Si(OTf)4 allows a gentle oxydefluorination of mono- and bis(trifluoromethyl)benzenes, resulting in the formation of the corresponding

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• Synthesis and Fundamental Studies of (H₃Ge)<i>_x</i>SiH₄_-<i>_x</i> Molecules:  Precursors to Semiconductor Hetero- and Nanostructures on Si
  作者：Cole J. Ritter、Changwu Hu、Andrew V. G. Chizmeshya、John Tolle、Douglas Klewer、Ignatius S. T. Tsong、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja051411o

  日期：2005.7.13

  epitaxial layers and coherent islands (quantum dots), with Ge-rich stoichiometries SiGe, SiGe(2), SiGe(3), and SiGe(4) reflecting the Si/Ge content of the corresponding precursor. The layers grow directly on Si(100) at unprecedented low temperatures of 300-450 degrees C and display homogeneous compositional and strain profiles, low threading defect densities, and atomically planar surfaces circumventing entirely

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  作者：Wolfram Uhlig、Alfred Tzschach

  DOI：10.1016/0022-328x(89)85014-4

  日期：1989.11

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  作者：Janet Braddock-Wilking、Matt Schieser、Lee Brammer、Jean Huhmann、Raef Shaltout

  DOI：10.1016/0022-328x(95)00327-m

  日期：1995.9

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• Uhlig, Wolfram, Chemische Berichte, 1992, vol. 125, # 1, p. 47 - 54
  作者：Uhlig, Wolfram

  DOI：——

  日期：——