bis-copper(I) (methoxy-N,N’-di-cyclohexylureate) | 1428932-37-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: bis-copper(I) (methoxy-N,N’-di-cyclohexylureate)
• 英文别名: copper(1+);cyclohexyl-(N-cyclohexyl-C-methoxycarbonimidoyl)azanide
• CAS: 1428932-37-9
• 化学式: C₂₈H₅₀Cu₂N₄O₂
• 分子量: 601.823
• InChiKey: SFPSGBIZTJCUKS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.05
• 重原子数：
  36
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.93
• 拓扑面积：
  45.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲醇 、 N,N'-二环己基碳二亚胺 、 copper(l) chloride 在 lithium hexamethyldisilazane 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以58%的产率得到bis-copper(I) (methoxy-N,N’-di-cyclohexylureate)
  参考文献：
  名称：

  新型异脲酸酯络合物的纯铜膜的CVD †

  摘要：

  我们报道了基于烷氧基-N，N'-二烷基-脲酸酯配体的新的铜（I）金属前体家族的合成和表征，及其在纯铜薄膜生产中的后续应用。双铜（I）（甲氧基-N，N'-二异丙基脲酸酯）（1）和双铜（I）（甲氧基-N，N'-二环己基脲酸酯）（5）的分子结构为通过单晶X射线衍射分析确定。配合物的热重分析突出显示了配合物1作为可能的铜CVD前驱物。使用前体1进行低压化学气相沉积（LP-CVD），以在氢气（H 2）气氛下在钌基板上合成金属铜的薄膜。通过SEM和AFM对分别在225°C，250°C和300°C的基板温度下沉积的薄膜进行分析，结果表明该薄膜是连续的且无针孔，并显示出温度依赖性生长特征的存在。薄膜的表面。能量色散X射线光谱（EDX），粉末X射线衍射（PXRD）和X射线光电子光谱（XPS）均显示该膜为高纯度金属铜。

  DOI：

  10.1039/c3dt00104k