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N,N'-bis(benzyl)-1,7-dibromoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide) | 956135-66-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
N,N'-bis(benzyl)-1,7-dibromoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)
英文别名
1,7-dibromo-N,N'-benzylperylene-3,4:9,10-tetracarboxylic diimide;7,18-Dibenzyl-11,22-dibromo-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(22),2,4,9,11,13(23),14,16(24),20,25-decaene-6,8,17,19-tetrone
N,N'-bis(benzyl)-1,7-dibromoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)化学式
CAS
956135-66-3
化学式
C38H20Br2N2O4
mdl
——
分子量
728.396
InChiKey
DDHWLSRDZBAFMC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.1
  • 重原子数:
    46
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    9.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.05
  • 拓扑面积:
    74.8
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    N,N'-bis(benzyl)-1,7-dibromoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)氰化亚铜N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 7.0h, 以86.3%的产率得到N,N'-bis(benzyl)-1,7-dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)
    参考文献:
    名称:
    WO2008/63609
    摘要:
    公开号:
  • 作为产物:
    描述:
    苄胺1,7-二溴-3,4,9,10-苝四羧基双酐 以 xylene 为溶剂, 反应 12.0h, 以76%的产率得到N,N'-bis(benzyl)-1,7-dibromoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)
    参考文献:
    名称:
    Method for producing organic field-effect transistors
    摘要:
    一种生产有机场效应晶体管的方法,包括以下步骤:a)提供包括栅结构、位于基底上的源电极和漏电极的基底,并b)将n-型有机半导体化合物应用于基底上栅结构、源电极和漏电极所在的区域,其中n-型有机半导体化合物选自以下化合物组:式I的化合物其中R1、R2、R3和R4独立地是氢、氯或溴,但至少其中一个基团不是氢,Y1是O或NRa,其中Ra是氢或有机残基,Y2是O或NRb,其中Rb是氢或有机残基,Z1、Z2、Z3和Z4是O,在Y1是NRa的情况下,残基Z1和Z2中的一个可以是NRc基团,其中Ra和Rc一起是具有2到5个原子的端部键之间的桥连接基团,在Y2是NRb的情况下,残基Z3和Z4中的一个可以是NRd基团,其中Rb和Rd一起是具有2到5个原子的端部键之间的桥连接基团。
    公开号:
    US07910736B2
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文献信息

  • Process for preparing a crystalline organic semiconductor material
    申请人:BASF SE
    公开号:US10224485B2
    公开(公告)日:2019-03-05
    Provided are a process for preparing a crystalline organic semiconductor material wherein the conditions of crystallization lead to the formation of crystals at the gas liquid interface having advantageous semiconductor properties, the obtained crystalline organic semiconductor material and the use thereof for the production of organic semiconductor devices, in particular organic field effect transistors and organic solar cells.
    本发明提供了一种制备结晶有机半导体材料的工艺,在该工艺中,结晶条件导致在气液界面上形成具有良好半导体特性的晶体,所获得的结晶有机半导体材料及其用于生产有机半导体器件,特别是有机场效应晶体管和有机太阳能电池。
  • Organic semiconductor composition comprising a liquid medium
    申请人:BASF SE
    公开号:US10454037B2
    公开(公告)日:2019-10-22
    Disclosed are a novel semiconductor composition comprising at least one organic semiconductor in a liquid medium and the use thereof the production of organic semiconductor devices, in particular organic field effect transistors, organic solar cells, light-emitting diodes and sensors.
    本发明公开了一种新型半导体组合物,该组合物由液体介质中的至少一种有机半导体组成,并利用该组合物生产有机半导体器件,特别是有机场效应晶体管、有机太阳能电池、发光二极管和传感器。
  • PROCESS FOR PREPARING CRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
    申请人:BASF SE
    公开号:EP3183250A1
    公开(公告)日:2017-06-28
  • ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION COMPRISING LIQUID MEDIUM
    申请人:CLAP Co., Ltd.
    公开号:EP3183757B1
    公开(公告)日:2022-05-04
  • METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS
    申请人:Konemann Martin
    公开号:US20070259475A1
    公开(公告)日:2007-11-08
    A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula I wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y 1 is O or NR a , wherein R a is hydrogen or an organyl residue, Y 2 is O or NR b , wherein R b is hydrogen or an organyl residue, Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are O, where, in the case that Y 1 is NR a , one of the residues Z 1 and Z 2 may be a NR c group, where R a and R c together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y 2 is NR b , one of the residues Z 3 and Z 4 may be a NR d group, where R b and R d together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
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