2,2-dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-one | 1226495-43-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,2-dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-one
• 英文别名: 2,2-Dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-one；5-(1-methoxypropan-2-ylamino)-2,2-dimethylhex-4-en-3-one
• CAS: 1226495-43-7
• 化学式: C₁₂H₂₃NO₂
• 分子量: 213.32
• InChiKey: CLIRQZHAQFQSDC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  306.1±27.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.916±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  38.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2-dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-one 在 strontium diisopropoxide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 16.0h， 以72%的产率得到bis(2,2-dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-onato)strontium
  参考文献：
  名称：

  Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films

  摘要：

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基板上制造含金属的薄膜，如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。

  公开号：

  EP2184287A1
• 作为产物：
  描述：

  2-氨基-1-甲氧基丙烷 、 5,5-二甲己烷2,4-二酮 在 sodium sulfate 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 2,2-dimethyl-5-[(2-methoxy-1-methylethyl)amino]hex-4-en-3-one
  参考文献：
  名称：

  Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films

  摘要：

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基板上制造含金属的薄膜，如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。

  公开号：

  EP2184287A1

文献信息

• Group 2 Metal Precursors For Deposition Of Group 2 Metal Oxide Films
  申请人：Lei Xinjian

  公开号：US20100119726A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  This invention is related to Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors and compositions comprising Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors, wherein the polydentate β-ketoiminate precursors incorporate an alkoxy group in the imino portion of the molecule. The compounds and compositions are useful for fabricating metal containing films on substrates such as silicon, metal nitride, metal oxide and other metal layers via chemical vapor deposition (CVD) processes.

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组成物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组成物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基底上如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层上制造含金属的薄膜。