1-adamantyl ethyl ether | 6221-75-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1-adamantyl ethyl ether
• 英文别名: 1-Ethoxyadamantan；1-Ethoxy-adamantane；1-ethoxyadamantane
• CAS: 6221-75-6
• 化学式: C₁₂H₂₀O
• 分子量: 180.29
• InChiKey: RYWMVDCBIUZYLP-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  110-111 °C(Press: 14 Torr)
• 密度：
  1.0005 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-adamantyl ethyl ether 、 乙腈 在 nitronium tetrafluoborate 作用下， 生成 乙酰金刚烷胺
  参考文献：
  名称：

  Reaction of alkyl halides and alkyl methyl ethers with nitronium tetrafluoroborate in acetonitrile

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo01324a044
• 作为产物：
  描述：

  1-乙酰氧基金刚烷 在 三氯硅烷 作用下， 以100%的产率得到1-adamantyl ethyl ether
  参考文献：
  名称：

  在氯化氢存在下，γ-射线诱导的三氯硅烷还原位阻烷基羧酸盐。通过烷基氯形成烷烃的两步机理

  摘要：

  在氯化氢的存在下，对乙酸1-金刚烷基酯和三氯硅烷（TCS）的混合物进行γ-辐照会产生金刚烷。该反应的第一步需要通过HCl和TCS的作用裂解烷基-氧键，得到烷基氯。在第二步中，氯化物通过TCS通过已知的自由基机理进行脱氯。在该系统中，乙酸叔戊酯和乙酸苄酯的反应类似于乙酸1-金刚烷基酯，生成异戊烷和甲苯，而其他伯烷基和仲烷基衍生物通过已知的自由基机理生成相应的二烷基醚。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(89)85276-3

文献信息

• Resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Satoshi

  公开号：US20100009299A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F 2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

  本发明涉及一种抗蚀组合物，例如用于在抗蚀物的基板侧边界面上提供优异图案轮廓的化学增感抗蚀组合物，除了在微细加工的光刻工艺中具有更高的分辨率外，特别是在采用KrF激光、ArF激光、F2激光、超短紫外光、电子束、X射线等作为曝光光源的光刻工艺中；以及利用该抗蚀组合物的图案化工艺。本发明提供一种化学增感抗蚀组合物，其包括一种或多种胺化合物或胺氧化合物（除了那些在芳香环的环结构中不含有胺或胺氧原子的氮原子的化合物），至少具有一个羧基，并且没有氢原子共价键结合到氮原子作为碱性中心。
• Triazine-Based Cationic Leaving Group: Synergistic Driving Forces for Rapid Formation of Carbocation Species
  作者：Hikaru Fujita、Satoshi Kakuyama、Shuichi Fukuyoshi、Naoko Hayakawa、Akifumi Oda、Munetaka Kunishima

  DOI：10.1021/acs.joc.8b00331

  日期：2018.4.20

  nic acid (∼200 mol %). Considerable rate acceleration of benzylation, allylation, and p-nitrobenzylation was observed as compared to the reactions with less than 100 mol % of the acid catalyst. The triazine-based leaving group showed superior p-nitrobenzylation yield and stability in comparison to common leaving groups, trichloroacetimidate and bromide. A plausible reaction mechanism (the cationic

  已经开发出一种新的基于三嗪的阳离子离去基团，用于酸催化O-和C-亲核试剂的烷基化。在三氟甲磺酸（〜200 mol％）的存在下，碳正离子物质的快速生成涉及两种协同驱动力，即稳定的C═O键形成和电荷-电荷排斥作用。与使用少于100mol％的酸催化剂的反应相比，观察到苄基化，烯丙基化和对硝基苄基化的显着速率加速。基于三嗪的离去组显示出优异的p与常见的离去基团，三氯乙酰亚胺酸酯和溴化物相比，-硝基苄基化的收率和稳定性。在机理和动力学研究，NMR实验和计算的基础上，提出了合理的反应机理（阳离子离去基团途径）。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。
• Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Takeru

  公开号：US20080102405A1

  公开（公告）日：2008-05-01

  A resist composition comprising as a quencher a nitrogen-containing organic compound bearing a nitrogen-containing heterocycle and having a molecular weight of at least 380 exhibits a high resolution and satisfactory mask coverage dependence and is useful in microfabrication using electron beam or deep-UV.

  一种抗蚀组合物包括作为猝灭剂的氮含有机化合物，其含有氮杂环，并且分子量至少为380，具有高分辨率和令人满意的掩膜覆盖度依赖性，并且适用于使用电子束或深紫外光进行微细加工。
• NOVEL SULFONATE SALTS AND DERIVATIVES, PHOTOACID GENERATORS, RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：KOBAYASHI Katsuhiro

  公开号：US20070298352A1

  公开（公告）日：2007-12-27

  Sulfonate salts have the formula: HOCH 2 CH 2 CF 2 CF 2 SO 3 − M + wherein M + is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oxime sulfonates and sulfonyloxyimides derived from these salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

  磺酸盐的化学式为：HOCH2CH2CF2CF2SO3−M+，其中M+是Li、Na、K、铵或四甲基铵离子。从这些盐中衍生的烷基盐、肟磺酸盐和磺酰氧亚胺在化学增强型抗蚀剂组合物中是有效的光酸发生剂。