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2-(2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy)thiophene | 1403231-20-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-(2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy)thiophene
英文别名
2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)thiophene;2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]thiophene;2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]thiophene
2-(2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy)thiophene化学式
CAS
1403231-20-8
化学式
C9H14O3S
mdl
——
分子量
202.274
InChiKey
WJCWFMIVSNAEJU-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.6
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.56
  • 拓扑面积:
    55.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-(2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy)thiophene哌啶四(三苯基膦)钯正丁基锂对甲苯磺酸三氯氧磷 作用下, 以 四氢呋喃正己烷甲苯 为溶剂, 反应 74.0h, 生成
    参考文献:
    名称:
    具有噻吩基-BODIPY 支架的有机场效应晶体管中的高性能溶液处理太阳能电池和双极行为
    摘要:
    由双乙烯基噻吩基模块设计的绿色吸收二吡咯甲烯染料是平面分子,在 713-724 nm 范围内表现出强吸收,并在薄膜中显示出相当的电子和空穴迁移率(最大值 1 × 10(-3) cm(2) )/(V·s))。用这些染料和低比率富勒烯衍生物 (PC(61)BM) 组装的体异质结太阳能电池提供高达 4.7% 的功率转换效率,短路电流值为 14.2 mA/cm(2),开路0.7 V 的电路电压,以及从 350 到 920 nm 的宽外量子效率,最大值为 60%。
    DOI:
    10.1021/ja3072513
  • 作为产物:
    描述:
    2-溴噻吩二乙二醇单甲醚吡啶copper(l) iodide 、 sodium hydride 作用下, 反应 168.5h, 以34%的产率得到2-(2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy)thiophene
    参考文献:
    名称:
    具有噻吩基-BODIPY 支架的有机场效应晶体管中的高性能溶液处理太阳能电池和双极行为
    摘要:
    由双乙烯基噻吩基模块设计的绿色吸收二吡咯甲烯染料是平面分子,在 713-724 nm 范围内表现出强吸收,并在薄膜中显示出相当的电子和空穴迁移率(最大值 1 × 10(-3) cm(2) )/(V·s))。用这些染料和低比率富勒烯衍生物 (PC(61)BM) 组装的体异质结太阳能电池提供高达 4.7% 的功率转换效率,短路电流值为 14.2 mA/cm(2),开路0.7 V 的电路电压,以及从 350 到 920 nm 的宽外量子效率,最大值为 60%。
    DOI:
    10.1021/ja3072513
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文献信息

  • ホウ素チエニルジピロメテン型の蛍光化合物及びそれらの用途
    申请人:サントレ ナティオナル ド ラ ルシェルシェ シアンティフィク
    公开号:JP2015524800A
    公开(公告)日:2015-08-27
    本発明は、ホウ素化チエニルジピロメテン蛍光化合物、それらの調製プロセス、及びプラスチックエレクトロニクス分野における電子供与体としての、特にバルクヘテロ接合型光起電力セルの光活性層の製造又は電界効果トランジスタの製造のためのそれらの用途にも関する。
    本发明涉及硼化硫基二吡咯烷蒙特光化合物,它们的制备过程,以及在塑料电子领域中作为电子给体,特别是用于制造体积异质结光电池的光活性层或电场效应晶体管的制造的应用。
  • GRADIENT OPTICAL POLYMER NANOCOMPOSITES
    申请人:State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education on behalf of the Univers
    公开号:US20150023643A1
    公开(公告)日:2015-01-22
    Gradient index optical materials are formed by drop by drop dispensing of nanoparticle/monomer suspensions. Refractive index variations are defined by nanoparticle concentrations that can vary in three dimensions. Droplets of differing compositions can be mixed, and droplets or layers or droplets are partially cross-linked by exposure to ultraviolet radiation prior to dispensing additional droplets. Gradient index optical elements such as lenses, prisms, and waveguides can be formed in flexible polymer layers.
    渐变折射率光学材料是通过滴滴分配纳米颗粒/单体悬浮液形成的。折射率变化由纳米颗粒浓度在三个维度上变化定义。不同成分的液滴可以混合,液滴或液滴层可以在分配额外液滴之前通过紫外线辐射部分交联。可以在柔性聚合物层中形成渐变折射率光学元件,如透镜、棱镜和波导。
  • Fluorescent compounds of the boron thienyldipyrromethene type, and their use
    申请人:CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
    公开号:US10566551B2
    公开(公告)日:2020-02-18
    The present invention concerns fluorescent boron thienyldipyrromethene type compounds, their preparation process, as well as their use as an electron donor in the field of organic electronics, in particular for the production of a photoactive layer in photovoltaic cells of the bulk heterojunction type or for the production of field effect transistors.
    本发明涉及荧光硼噻吩基二吡咯烷酮类化合物、其制备工艺以及在有机电子学领域作为电子供体的用途,特别是用于生产体异质结型光伏电池中的光活性层或用于生产场效应晶体管。
  • COMPOSÉS FLUORESCENTS DE TYPE THIÉNYLDIPYRROMÉTHÈNE BORÉS ET LEURS UTILISATIONS
    申请人:Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
    公开号:EP2875031A1
    公开(公告)日:2015-05-27
  • FLUORESCENT COMPOUNDS OF THE BORON THIENYLDIPYRROMETHENE TYPE, AND THEIR USE
    申请人:CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
    公开号:US20150171328A1
    公开(公告)日:2015-06-18
    The present invention concerns fluorescent boron thienyldipyrromethene type compounds, their preparation process, as well as their use as an electron donor in the field of organic electronics, in particular for the production of a photoactive layer in photovoltaic cells of the bulk heterojunction type or for the production of field effect transistors.
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