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2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene | 1379763-78-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
英文别名
7,18-Bis(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl)-6,8,17,19-tetrazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1,3(12),4,6,8,10,13(23),14,16,18,20(24),21,25-tridecaene;7,18-bis(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl)-6,8,17,19-tetrazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1,3(12),4,6,8,10,13(23),14,16,18,20(24),21,25-tridecaene
2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene化学式
CAS
1379763-78-6
化学式
C28H8F14N4
mdl
——
分子量
666.376
InChiKey
DGUUGWCYJLBRNK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.6
  • 重原子数:
    46
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    7.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.21
  • 拓扑面积:
    51.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    18

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene 作用下, 以 硫酸 为溶剂, 反应 10.0h, 以81%的产率得到2,9-bis(heptafluoropropyl)-4,7,11,14-tetrabromo-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
    参考文献:
    名称:
    核心溴化四氮杂戊并吡咯酮作为柔性衬底上有机互补电路的n通道半导体
    摘要:
    有机薄膜晶体管(TFT)是通过在芳族核上具有溴取代基的2,9-双(全氟烷基)-取代的四氮杂戊二烯(TAPPs)进行真空沉积和溶液剪切而制备的。通过将已知的未取代TAPP与溴在发烟硫酸中反应合成TAPP衍生物,并通过循环伏安法详细研究其电化学性质,并使用密度泛函理论(DFT)方法进行建模。最低的未占据分子轨道(LUMO)能量和电子亲和力表明,核心溴化TAPPs应表现出n通道半导体特性。电子向上的迁移率建立的TFT的电流-电压特性以μ Ñ =0.032厘米2 V -1小号-1 的衍生物,随后在柔性塑料基板(PEN)上制造互补环形振荡器的过程中对其进行了处理。
    DOI:
    10.1002/adfm.201203600
  • 作为产物:
    描述:
    七氟丁酸酐4,10-diiminoperylene-3,9-diamine三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 72.0h, 以53%的产率得到2,9-bis(heptafluoropropyl)-1,3,8,10-tetraazaperopyrene
    参考文献:
    名称:
    四氯化四氮杂戊并吡喃酮(TAPP):用于空气稳定的有机n沟道晶体管和互补电路的高荧光染料和半导体
    摘要:
    甲范围2,9-全氟烷基取代的tetraazaperopyrene(TAPP)衍生物(1 - 5)通过4,9-二氨基-3,10-二亚胺醌(DPDI)在存在相应的羧酸酰氯或酸酐反应来合成一个基地。化合物的反应1 - 4与浓硫酸二氯异氰尿酸(DIC)导致tetraazaperopyrene芯的四倍替代,得到2,9- bisperfluoroalkyl-4,7,11,14四氯1,3,8 ,10-四氮杂戊并戊烯6 – 9, 分别。光学和电化学数据证明了核取代对性能的巨大影响。所有化合物均具有高发光性(荧光量子产率高达Φ = 0.8)。发现四氯化的TAPP衍生物的LUMO能量(通过循环伏安法测定并通过DFT计算来计算)低于-4eV。在这项工作的过程中,研究了TAPP衍生物在有机薄膜晶体管(TFT)中的性能,并研究了它们的n沟道特性,其场效应迁移率高达0.14 cm 2  V -1  s -1且导通/截止电流比>
    DOI:
    10.1002/chem.201103158
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文献信息

  • Tetrachlorinated Tetraazaperopyrenes (TAPPs): Highly Fluorescent Dyes and Semiconductors for Air-Stable Organic n-Channel Transistors and Complementary Circuits
    作者:Susanne C. Martens、Ute Zschieschang、Hubert Wadepohl、Hagen Klauk、Lutz H. Gade
    DOI:10.1002/chem.201103158
    日期:2012.3.19
    9‐perfluoroalkyl‐substituted tetraazaperopyrene (TAPP) derivatives (1–5) was synthesised by reacting 4,9‐diamino‐3,10‐perylenequinone diimine (DPDI) with the corresponding carboxylic acid chloride or anhydride in the presence of a base. The reaction of compounds 1–4 with dichloroisocyanuric acid (DIC) in concentrated sulphuric acid resulted in the fourfold substitution of the tetraazaperopyrene core, yielding the
    甲范围2,9-全氟烷基取代的tetraazaperopyrene(TAPP)衍生物(1 - 5)通过4,9-二氨基-3,10-二亚胺醌(DPDI)在存在相应的羧酸酰氯或酸酐反应来合成一个基地。化合物的反应1 - 4与浓硫酸二氯异氰尿酸(DIC)导致tetraazaperopyrene芯的四倍替代,得到2,9- bisperfluoroalkyl-4,7,11,14四氯1,3,8 ,10-四氮杂戊并戊烯6 – 9, 分别。光学和电化学数据证明了核取代对性能的巨大影响。所有化合物均具有高发光性(荧光量子产率高达Φ = 0.8)。发现四氯化的TAPP衍生物的LUMO能量(通过循环伏安法测定并通过DFT计算来计算)低于-4eV。在这项工作的过程中,研究了TAPP衍生物在有机薄膜晶体管(TFT)中的性能,并研究了它们的n沟道特性,其场效应迁移率高达0.14 cm 2  V -1  s -1且导通/截止电流比>
  • Core-Brominated Tetraazaperopyrenes as n-Channel Semiconductors for Organic Complementary Circuits on Flexible Substrates
    作者:Sonja Geib、Ute Zschieschang、Marcel Gsänger、Matthias Stolte、Frank Würthner、Hubert Wadepohl、Hagen Klauk、Lutz H. Gade
    DOI:10.1002/adfm.201203600
    日期:2013.8.19
    Organic thin‐film transistors (TFTs) are prepared by vacuum deposition and solution shearing of 2,9‐bis(perfluoroalkyl)‐substituted tetraazaperopyrenes (TAPPs) with bromine substituents at the aromatic core. The TAPP derivatives are synthesized by reacting known unsubstituted TAPPs with bromine in fuming sulphuric acid, and their electrochemical properties are studied in detail by cyclic voltammetry
    有机薄膜晶体管(TFT)是通过在芳族核上具有溴取代基的2,9-双(全氟烷基)-取代的四氮杂戊二烯(TAPPs)进行真空沉积和溶液剪切而制备的。通过将已知的未取代TAPP与溴在发烟硫酸中反应合成TAPP衍生物,并通过循环伏安法详细研究其电化学性质,并使用密度泛函理论(DFT)方法进行建模。最低的未占据分子轨道(LUMO)能量和电子亲和力表明,核心溴化TAPPs应表现出n通道半导体特性。电子向上的迁移率建立的TFT的电流-电压特性以μ Ñ =0.032厘米2 V -1小号-1 的衍生物,随后在柔性塑料基板(PEN)上制造互补环形振荡器的过程中对其进行了处理。
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