5-bromo-2-nitroso-1-indanone | 1363753-16-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 茚满类
• 英文名称: 5-bromo-2-nitroso-1-indanone
• 英文别名: 5-Bromo-2-nitroso-2,3-dihydroinden-1-one；5-bromo-2-nitroso-2,3-dihydroinden-1-one
• CAS: 1363753-16-5
• 化学式: C₉H₆BrNO₂
• 分子量: 240.056
• InChiKey: ONOIIDMBDPOVCU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.22
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-bromo-2-nitroso-1-indanone 在 ammonium hydroxide 、 sodium dithionite 、 sodium dichromate dihydrate 、 乙酸酐 、 溶剂黄146 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 生成 2,8-dibromodiindeno[2,1-b:2',1'-e]pyrazine-6,12-dione
  参考文献：
  名称：

  Preparation, physical properties and n-type FET characteristics of substituted diindenopyrazinediones and bis(dicyanomethylene) derivatives

  摘要：

  一系列卤素和烷基取代的二茚并吡嗪二酮以及双（氰乙烯基）衍生物作为新型n型有机半导体，基于含氮杂环化合物进行了合成。引入卤素基团以改善电子注入。讨论了它们的晶体结构和固体物理性质。引入烷基基团以增加在有机溶剂中的溶解度。此外，通过对烷基基团的氧化引入了己酰基团，以增加溶解度和电子亲和力。还引入了双氰乙烯基团，以进一步增强电子接受特性。喷雾铸造和蒸气沉积的薄膜表现出n型场效应晶体管特性。

  DOI：

  10.1039/c2jm14955a
• 作为产物：
  描述：

  4'-溴-3-氯苯丙酮 在 盐酸 、 硫酸 、 亚硝酸异戊酯 作用下， 以 水 、 苯 为溶剂， 生成 5-bromo-2-nitroso-1-indanone
  参考文献：
  名称：

  Preparation, physical properties and n-type FET characteristics of substituted diindenopyrazinediones and bis(dicyanomethylene) derivatives

  摘要：

  一系列卤素和烷基取代的二茚并吡嗪二酮以及双（氰乙烯基）衍生物作为新型n型有机半导体，基于含氮杂环化合物进行了合成。引入卤素基团以改善电子注入。讨论了它们的晶体结构和固体物理性质。引入烷基基团以增加在有机溶剂中的溶解度。此外，通过对烷基基团的氧化引入了己酰基团，以增加溶解度和电子亲和力。还引入了双氰乙烯基团，以进一步增强电子接受特性。喷雾铸造和蒸气沉积的薄膜表现出n型场效应晶体管特性。

  DOI：

  10.1039/c2jm14955a

文献信息

• 基于吲哚稠环单元的热活性延迟荧光分子材料及其应用
  申请人：安徽秀朗新材料科技有限公司

  公开号：CN114315695B

  公开（公告）日：2023-09-08

  本申请公开了基于吲哚稠环单元的TADF分子材料。本申请采用了两种基于吲哚稠环单元的受体分子结构，并且对这两种基于吲哚稠环单元的受体单元进行修饰。本申请选择了吖啶的衍生物和咔唑的衍生物作为供体分子。供体与受体之间通过Bachwald‑hartwig偶联反应合成了六个目标分子M1～M6，目标分子通过核磁共振氢谱或碳谱确定了分子结构。
• Preparation, physical properties and n-type FET characteristics of substituted diindenopyrazinediones and bis(dicyanomethylene) derivatives
  作者：Jun-ichi Nishida、Hironori Deno、Satoru Ichimura、Tomohiro Nakagawa、Yoshiro Yamashita

  DOI：10.1039/c2jm14955a

  日期：——

  A series of halogen and alkyl substituted diindenopyrazinediones and bis(dicyanomethylene) derivatives have been synthesized as new n-type organic semiconductors based on nitrogen-containing heterocycles. Halogen groups were introduced to improve the electron injection. Their crystal structures and solid physical properties are discussed. Alkyl groups were introduced to increase the solubility in organic solvents. Furthermore, hexanoyl groups were introduced by oxidation of alkyl groups to increase the solubility and electron affinity. Dicyanomethylene groups were also introduced to further enhance the electron-accepting properties. Drop-cast as well as vapour deposited thin films showed n-type FET properties.

  一系列卤素和烷基取代的二茚并吡嗪二酮以及双（氰乙烯基）衍生物作为新型n型有机半导体，基于含氮杂环化合物进行了合成。引入卤素基团以改善电子注入。讨论了它们的晶体结构和固体物理性质。引入烷基基团以增加在有机溶剂中的溶解度。此外，通过对烷基基团的氧化引入了己酰基团，以增加溶解度和电子亲和力。还引入了双氰乙烯基团，以进一步增强电子接受特性。喷雾铸造和蒸气沉积的薄膜表现出n型场效应晶体管特性。