研究了π共轭结构变化对π共轭供体(D)-受体(A)二元组(D-π-A)中光致电子转移(PET)和分子内电荷转移(ICT)过程的影响。通过修改其π共轭连接子的结构,制备了三种类型的D–π–A二聚体,包括具有扭曲π共轭的D–π–A(1)和D–π tw –A(2),和D–π–Si–π–A(3)带有被Si原子切断的π共轭。在这些二元化合物中,
咔唑(Cz)和恶二唑(Oz)部分分别充当电子给体和受体。二元组1和3的发射最大值随着极性的增加红移,这可能归因于ICT过程。在CH 2 Cl 2中,二元组1和3的荧光寿命分别为2.64 ns和4.29 ns 。相反,二元组2在CH 2 Cl 2中显示了在350和470 nm处的双重发射。dyad 2在380 nm处的发射对应于局部激发态下的单体荧光。而且,在470nm处的发射与在380nm处的荧光的减小同时增加。该发射带可被指定为分子内激基复合物发射,并显示出