3-(2-Methoxy-ethoxymethoxy)-2-methyl-propene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 3-(2-Methoxy-ethoxymethoxy)-2-methyl-propene
• 英文别名: 2-Methyl-4,6,9-trioxa-1-decene；3-(2-methoxyethoxymethoxy)-2-methylprop-1-ene
• 化学式: C₈H₁₆O₃
• 分子量: 160.213
• InChiKey: SAMYCWLYAYCQRM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.1
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  27.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-(2-Methoxy-ethoxymethoxy)-2-methyl-propene 、 三甲氧基硅烷 在 Platinate(2-a)a, hexachloro-a, hydrogen, hydrate (1:2:1)a, (OC-a6-a11)a- 氮 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 24.0h， 以to afford 8.47 g of (3-((2-methoxyethoxy)methoxy)-2-methylpropyl)trimethoxysilane (corresponding to the compound of Formula (A-29))的产率得到(3-((2-Methoxyethoxy)methoxy)-2-methylpropyl)trimethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  SILICON-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMATION OF RESIST UNDERLAYER FILM, WHICH CONTAINS ORGANIC GROUP CONTAINING PROTECTED ALIPHATIC ALCOHOL

  摘要：

  本文描述了用于形成溶剂可开发光刻胶底层膜的组合物。这些组合物可以包括一个水解性有机硅烷，其硅原子与含有受保护脂肪醇基团的有机基团结合，水解的水解性有机硅烷的水解缩合产物，或两者的组合物和溶剂。该组合物可以形成一个光刻胶底层膜，其中包括水解性有机硅烷，水解的水解性有机硅烷的水解缩合产物，或两者的组合物，硅烷化合物中的硅原子与含有受保护脂肪醇基团的有机基团的比例为总硅原子量的0.1至40%摩尔。还描述了一种将该组合物应用于半导体衬底并烘烤该组合物以形成光刻胶底层膜的方法。

  公开号：

  US20130183830A1
• 作为产物：
  描述：

  2-甲氧基乙氧基甲基氯 、 2-甲基-2-丙烯-1-醇 在 N,N-二异丙基乙胺 作用下， 生成 3-(2-Methoxy-ethoxymethoxy)-2-methyl-propene
  参考文献：
  名称：

  Cleavage of MEM ethers by tetrahalozincate reagents

  摘要：

  A modification of the zinc halide-mediated removal of the MEM group is described. By the expedient of adding two molar equivalents of ethereal hydrogen chloride or of lithium halide, the method is extended to substrates which otherwise chelate the zinc reagent without undergoing deprotection. The compatibility of the resulting reagent systems with other functional groups is demonstrated, and examples are presented where deprotection of mono-MEM-protected 1,2- and 1,3-diols can be carried out, avoiding the cyclisation which occurs normally. Copyright (C) 1996 Elsevier Science Ltd

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(96)00930-1

文献信息

• Silicon-containing composition for formation of resist underlayer film, which contains organic group containing protected aliphatic alcohol
  申请人：Takeda Satoshi

  公开号：US09196484B2

  公开（公告）日：2015-11-24

  Described herein are compositions for forming an underlayer film for a solvent-developable resist. These compositions can include a hydrolyzable organosilane having a silicon atom bonded to an organic group containing a protected aliphatic alcohol group, a hydrolysate of the hydrolyzable organosilane, a hydrolysis-condensation product of the hydrolyzable organosilane, or a combination thereof and a solvent. The composition can form a resist underlayer film including, a hydrolyzable organosilane, a hydrolysate of the hydrolyzable organosilane, a hydrolysis-condensation product of the hydrolyzable organosilane, or a combination thereof, the silicon atom in the silane compound having a silicon atom bonded to an organic group containing a protected aliphatic alcohol group in a ratio of 0.1 to 40% by mol based on the total amount of silicon atoms. Also described is a method for applying the composition onto a semiconductor substrate and baking the composition to form a resist underlayer film.

  本文描述了用于制备可溶剂显影光阻的底层膜的组合物。这些组合物可以包括一种可水解的有机硅烷，其硅原子与含有保护性脂肪醇基团的有机基团键合，可水解有机硅烷的水解物，可水解有机硅烷的水解缩合产物，或其组合物和溶剂。该组合物可以形成一个光阻底层膜，包括可水解有机硅烷，可水解有机硅烷的水解物，可水解有机硅烷的水解缩合产物或其组合物，硅烷化合物中的硅原子与含有保护性脂肪醇基团的有机基团的比例为总硅原子量的0.1至40%的摩尔比。还描述了一种将该组合物涂覆在半导体基板上并烘烤以形成光阻底层膜的方法。
• US5550241A
  申请人：——

  公开号：US5550241A

  公开（公告）日：1996-08-27
• US9196484B2
  申请人：——

  公开号：US9196484B2

  公开（公告）日：2015-11-24