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2,5-bis(3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazole | 681468-39-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,5-bis(3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazole
英文别名
2,5-Bis(3-methylthiophen-2-yl)-1,3,4-oxadiazole
2,5-bis(3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazole化学式
CAS
681468-39-3
化学式
C12H10N2OS2
mdl
——
分子量
262.356
InChiKey
VMHVEZUMPOAPKC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.2
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.17
  • 拓扑面积:
    95.4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,5-bis(3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazoleN-溴代丁二酰亚胺(NBS)三氟乙酸 作用下, 反应 18.0h, 以38.6%的产率得到2,5-bis(5-bromo-3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazole
    参考文献:
    名称:
    Mixed alkylthiophene-based heterocyclic polymers containing oxadiazole units via electrochemical polymerisation: spectroscopic, electrochemical and spectroelectrochemical properties
    摘要:
    已制备出含中心氧杂二唑单元的对称烷基噻吩基混合杂环三聚体和五聚体。由于氧杂二唑具有吸电子特性,三聚体无法电聚,在高电位下会发生氧化型破坏。相比之下,五聚体易于聚合,形成短链聚合物。三聚体和五聚体均具有强烈的光致发光特性,最大发光波长分别为399 nm(13%量子产额)和467 nm(46%量子产额)。五聚体电聚产生的聚合物也具有发光特性,激发带的最大波长为528 nm(33%量子产额)。循环伏安法表明,该聚合物可发生氧化掺杂,在0.62 V(相对于Ag/Ag+)时出现明显的阳极峰,在0.56 V时出现阴极峰,这与未掺杂过程有关。与分子量相似的聚(烷基噻吩)均聚物相比,所制备的混合杂环聚合物的氧化掺杂电位明显更高,这是由于氧杂二唑单元的存在降低了噻吩亚基π电子系统的电子密度,使其氧化更加困难。聚合物的光谱电化学研究结果与其伏安特性一致,表明掺杂导致π-π*跃迁产生的带出现漂白,双极子带同时增长。所观察到的清晰且可逆的光谱
    DOI:
    10.1039/b415587d
  • 作为产物:
    描述:
    3-甲基噻吩-2-羰基氯一水合肼三氯氧磷 作用下, 以 吡啶 为溶剂, 反应 1.33h, 生成 2,5-bis(3-methylthien-2-yl)-1,3,4-oxadiazole
    参考文献:
    名称:
    Mixed alkylthiophene-based heterocyclic polymers containing oxadiazole units via electrochemical polymerisation: spectroscopic, electrochemical and spectroelectrochemical properties
    摘要:
    已制备出含中心氧杂二唑单元的对称烷基噻吩基混合杂环三聚体和五聚体。由于氧杂二唑具有吸电子特性,三聚体无法电聚,在高电位下会发生氧化型破坏。相比之下,五聚体易于聚合,形成短链聚合物。三聚体和五聚体均具有强烈的光致发光特性,最大发光波长分别为399 nm(13%量子产额)和467 nm(46%量子产额)。五聚体电聚产生的聚合物也具有发光特性,激发带的最大波长为528 nm(33%量子产额)。循环伏安法表明,该聚合物可发生氧化掺杂,在0.62 V(相对于Ag/Ag+)时出现明显的阳极峰,在0.56 V时出现阴极峰,这与未掺杂过程有关。与分子量相似的聚(烷基噻吩)均聚物相比,所制备的混合杂环聚合物的氧化掺杂电位明显更高,这是由于氧杂二唑单元的存在降低了噻吩亚基π电子系统的电子密度,使其氧化更加困难。聚合物的光谱电化学研究结果与其伏安特性一致,表明掺杂导致π-π*跃迁产生的带出现漂白,双极子带同时增长。所观察到的清晰且可逆的光谱
    DOI:
    10.1039/b415587d
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