摘要:
合成了一系列四硫富瓦烯(TTF)环化的卟啉及其相应的Zn II复合物。详细的电化学,光物理和理论研究揭示了从TTF片段到大环核心的分子内电荷转移跃迁的影响。光谱研究表明,在卟啉核心中增加的TTF部分的合成合成使该物种更容易受到这些电荷转移(CT)的影响。另一方面,随着TTF亚基数量的增加,在方波伏安图中可以看到还原信号出现规律的正向偏移。结构研究涉及四取代的TTF-卟啉(游离碱和Zn II复数)仅显示出与平面度的适度偏差。因此,TTF取代的作用归因于环状TTF亚基之间的电子重叠,而不是空间效应。直接连接的硫富瓦烯亚基既充当π受体也充当σ供体。σ贡献解释了依赖于取代基的电荷转移跃迁,而附加的四硫富瓦烯基团的π受体性质决定了氧化还原化学。亚基之间的相互作用也反映在方波伏安图中。对于带有多个TTF亚基的游离碱衍生物,相邻的TTF单元以及TTF⋅ +通过单电子氧化产生的,可以互相作用;这会在方波伏