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phenanthrene-1,2-dimethanol | 844494-61-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
phenanthrene-1,2-dimethanol
英文别名
[1-(Hydroxymethyl)phenanthren-2-yl]methanol
phenanthrene-1,2-dimethanol化学式
CAS
844494-61-7
化学式
C16H14O2
mdl
——
分子量
238.286
InChiKey
TUOODMHRYYBRAA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.7
  • 重原子数:
    18
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.12
  • 拓扑面积:
    40.5
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    phenanthrene-1,2-dimethanol2,3,5-三甲基吡啶三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃吡啶甲酸乙醇二氯甲烷 为溶剂, 反应 17.58h, 生成 chloroacetic acid [2-(hydroxymethyl)phenanthren-1-yl]methyl ester
    参考文献:
    名称:
    非核苷碱基替代物:1,2-双取代菲对DNA双链体稳定性的影响
    摘要:
    通过形成磷酸二酯键将菲-1,2-二甲醇掺入寡脱氧核苷酸中(参见方案1)。如果将其置于DNA双链体的内部位置,则会观察到双链体稳定性的强烈降低(表1)。然而,菲残基的末端的末端附着导致稳定性的显着提高。稳定归因于两条链的菲残基的协同相互作用,而不是悬空的末端效应。包含6个菲残基的嵌合低聚物显示出两个独立的过渡(表2):一种来自DNA茎的变性(可通过260 nm的增色作用观察到),另一种来自菲部分的变性(可通过温度依赖性凝胶迁移率试验观察到)。基于这些发现,提出了一种嵌合杂种的模型,其中菲残基以拉链状方式堆叠在DNA碱基对的顶部,而不会破坏DNA茎的B形式(参见图7)。
    DOI:
    10.1002/hlca.200490250
  • 作为产物:
    描述:
    phenanthrene-1,2-dicarboxylic acid dimethyl ester甲醇锂硼氢 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 1.0h, 以43%的产率得到phenanthrene-1,2-dimethanol
    参考文献:
    名称:
    非核苷碱基替代物:1,2-双取代菲对DNA双链体稳定性的影响
    摘要:
    通过形成磷酸二酯键将菲-1,2-二甲醇掺入寡脱氧核苷酸中(参见方案1)。如果将其置于DNA双链体的内部位置,则会观察到双链体稳定性的强烈降低(表1)。然而,菲残基的末端的末端附着导致稳定性的显着提高。稳定归因于两条链的菲残基的协同相互作用,而不是悬空的末端效应。包含6个菲残基的嵌合低聚物显示出两个独立的过渡(表2):一种来自DNA茎的变性(可通过260 nm的增色作用观察到),另一种来自菲部分的变性(可通过温度依赖性凝胶迁移率试验观察到)。基于这些发现,提出了一种嵌合杂种的模型,其中菲残基以拉链状方式堆叠在DNA碱基对的顶部,而不会破坏DNA茎的B形式(参见图7)。
    DOI:
    10.1002/hlca.200490250
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文献信息

  • PHOTORESIST UNDERCOAT-FORMING MATERIAL AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Hatakeyama Jun
    公开号:US20100104977A1
    公开(公告)日:2010-04-29
    A material comprising a novolac resin having a C 6 -C 30 aromatic hydrocarbon group substituted with a sulfo group or an amine salt thereof is useful in forming a photoresist undercoat. The undercoat-forming material has an extinction coefficient sufficient to provide an antireflective effect at a thickness of at least 200 nm, and a high etching resistance as demonstrated by slow etching rates with CF 4 /CHF 3 gas for substrate processing.
  • US8338078B2
    申请人:——
    公开号:US8338078B2
    公开(公告)日:2012-12-25
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