通过交叉偶联和氧化偶联反应合成了一系列烷基取代的聚噻吩并[3,2- b ]噻吩。通过紫外可见吸收和荧光光谱研究了它们的电子性质。与通过FeCl 3制备的区域无规聚合物相比,通过差速官能化单体的斯蒂勒偶联制备的聚(3-壬基噻吩并[3,2- b ]噻吩)表现出更长的吸收λmax和相应的更低的光学带隙。方法或通过熊田耦合。使用二烷基取代的单体生产聚(3,6-二壬基噻吩并[3,2- b[噻吩]导致吸收光谱和发射光谱都急剧转移到较短的波长。通过循环伏安法研究了这些聚合物的电化学,发现与二烷基取代的聚合物相比,单烷基取代的聚合物具有相对较低的氧化电位。为了研究聚合物主链中单体的构象,制备了这些聚合物的二聚亚基。紫外可见光谱和计算都表明,头对尾的连接引起相邻环单元的小畸变,而头对头的连接导致共轭的减小。
通过交叉偶联和氧化偶联反应合成了一系列烷基取代的聚噻吩并[3,2- b ]噻吩。通过紫外可见吸收和荧光光谱研究了它们的电子性质。与通过FeCl 3制备的区域无规聚合物相比,通过差速官能化单体的斯蒂勒偶联制备的聚(3-壬基噻吩并[3,2- b ]噻吩)表现出更长的吸收λmax和相应的更低的光学带隙。方法或通过熊田耦合。使用二烷基取代的单体生产聚(3,6-二壬基噻吩并[3,2- b[噻吩]导致吸收光谱和发射光谱都急剧转移到较短的波长。通过循环伏安法研究了这些聚合物的电化学,发现与二烷基取代的聚合物相比,单烷基取代的聚合物具有相对较低的氧化电位。为了研究聚合物主链中单体的构象,制备了这些聚合物的二聚亚基。紫外可见光谱和计算都表明,头对尾的连接引起相邻环单元的小畸变,而头对头的连接导致共轭的减小。
ELECTRONIC DEVICES CONTAINING ACENE-THIOPHENE COPOLYMERS WITH SILYLETHYNYL GROUPS
申请人:Zhu Peiwang
公开号:US20070249087A1
公开(公告)日:2007-10-25
Electronic devices that include an acene-thiophene copolymer and methods of making such electronic devices are described. More specifically, the acene-thiophene copolymer has attached silylethynyl groups. The copolymer can be used, for example, in a semiconductor layer or in a layer positioned between a first electrode and a second electrode.
Acene-thiophene copolymers with attached silylethynyl groups are provided that can be used in electronic devices. The copolymers are often soluble in common organic solvents and can be part of a coating composition.